概述
應(yīng)用
- 金屬(鋁)、鎢和電介質(zhì)(氧化物)以及多晶硅等離子刻蝕(氯化物、氟化物和溴化物)
- 電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
- 薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
- 濺射
- 離子注入源,射束線泵送端點(diǎn)站
- MBE
- 擴(kuò)散
- 光致抗蝕劑脫模
- 晶體/晶膜生長(zhǎng)
- 晶片檢查
- 負(fù)載鎖真空腔
- 科學(xué)儀器:表面分析、質(zhì)譜分析、電子顯微鏡
- 高能物理:射束線、加速器
- 放射線應(yīng)用:融合系統(tǒng)、回旋
功能和優(yōu)勢(shì)
- 更高的氣體吞吐量
- 大的制程靈活性
- 無油
- 低振動(dòng)
- 高度
- 免維護(hù)
- 可用于嚴(yán)苛制程
- 使用壽命延長(zhǎng)
- 自動(dòng)調(diào)整
- 自行診斷功能
- 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 無電池運(yùn)行
- 占地面積小
- 半機(jī)架控制器
數(shù)據(jù)
| 入口法蘭 | ISO200F |
| KF40 | |
| 吹掃口 | KF10 |
| 水冷卻接頭 | PT1/4 |
| 抽速 | |
| N2 | 1300 ls-1 |
| H2 | 800 ls-1 |
| 壓縮比 | |
| N2 | >108 |
| H2 | 103 |
| 加熱時(shí)的極限壓力 | 10-7 Pa |
| | (10-9 Torr) |
| 大連續(xù)壓力 | 270 Pa |
| | (2 Torr) |
| 大氮?dú)馔掏铝? | 1500 sccm |
| 額定速度 | 32500 rpm |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | 7 分鐘 |
| 高入口法蘭溫度 | 120 °C |
| 輸入電壓 | 200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 0.85 kVA |
| 泵重量 | 39 kg |
| 控制器重量 | 9 kg |
水冷卻














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