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KRI 霍爾離子源 eH 2000 伯東代理

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌其他品牌
型號
所在地上海市
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
更新時間2021/12/28 15:01:43
訪問次數(shù)324

產(chǎn)品標(biāo)簽:

離子源射頻離子源中和器自動控制器離子束

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公司介紹主營產(chǎn)品

　伯東企業(yè)(上海)有限公司專業(yè)代理各國真空產(chǎn)品位于中國上海浦東外高橋保稅區(qū)的伯東企業(yè)(上海)有限公司創(chuàng)建于1995年12月，是日本伯東株式會社獨資設(shè)立的外商投資企業(yè)，公司注冊資金為200萬美元，到目前為止公司從業(yè)員工有400多人。

　　伯東企業(yè)(上海)有限公司 ()專業(yè)銷售及維修德國Pfeiffer單雙級旋片泵，干泵，羅茨泵，分子泵；應(yīng)用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規(guī)管)；檢漏儀，質(zhì)譜儀，真空系統(tǒng)等等, 維修技術(shù)力量雄厚，保證 100 % 擁有標(biāo)準(zhǔn)的德國Pfeiffer原廠測試設(shè)備及調(diào)整工具和德國Pfeiffer專業(yè)培訓(xùn)工程師，多年來致力于真空系統(tǒng)的安裝、調(diào)試、維修、拆機、保養(yǎng)等，具有優(yōu)良的專業(yè)技能和服務(wù)意識，并獲得原廠*維修資質(zhì)證書。利用 Pfeiffer 進口檢測設(shè)備對維修后的產(chǎn)品做*性能測試。另外公司還代理美國Brooks CTI Cryopump 冷凝泵/低溫泵, Polycold 冷凍機和美國KRI 離子源，HVA 高真空閥門。

　　公司一直堅持品質(zhì)*、信譽*的原則，為廣大客戶提供了高品質(zhì)的產(chǎn)品以及良好的售后服務(wù)。到目前為止已先后通過了美國UL安全認(rèn)證、ISO9001-2000質(zhì)量體系認(rèn)證、ISO14001-1996環(huán)境體系認(rèn)證。公司將在今后的發(fā)展中秉承以人為本，不斷開拓進取的精神，為滿足客戶的需求努力向?qū)I(yè)化、優(yōu)質(zhì)化、集團化發(fā)展。

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氦質(zhì)譜檢漏儀,分子泵,原子力顯微鏡,高低溫測試機,離子源,真空閥門

產(chǎn)品簡介在線詢價

產(chǎn)地	進口	產(chǎn)品新舊	全新

上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更*的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

KRI 霍爾離子源 eH 2000 伯東代理產(chǎn)品信息

KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更*的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)

型號	eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	16-45”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
•  離子輔助鍍膜 IAD
•  預(yù)清洗 Load lock preclean
•  預(yù)清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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