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KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對(duì)準(zhǔn)柵極, 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 400 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | KDC 100 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 2 |
- 陽(yáng)極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | 專用, 自對(duì)準(zhǔn) |
-柵極直徑 | 12 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 | 移動(dòng)或快速法蘭 |
- 高度 | 9.25' |
- 直徑 | 7.6' |
- 離子束 | 聚焦 |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | 惰性 |
-安裝距離 | 8-36” |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
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