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KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計(jì)離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡(jiǎn)單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | eH 200 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 2 cm |
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽(yáng)極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 無 |
- 底座 | 移動(dòng)或快接法蘭 |
- 高度 | 2.0' |
- 直徑 | 2.5' |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 6-24” |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
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