基型技術(shù)指標(biāo)：
● 溫度控制：
   控溫范圍：室溫上7℃～400℃（增量1℃）
   控溫對象：柱箱、離子化室、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器A、進(jìn)樣器B、輔助（備用）
   程升階數(shù)：五階
   程升速率：0.1℃～40℃/min（增量0.1℃）
● 火焰離子化檢測器（FID）：
   檢測限：DFID≤1×10-11g/s（樣品：C16）
   測試結(jié)果：DFID≤5×10-12g/s
   基線噪聲：≤5×10-14A
   基線漂移：≤6×10-13A/h
   線性范圍：≥106