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詳細(xì)摘要： NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 Ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕...

詳細(xì)摘要： 英國Oxford 反應(yīng)離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE，是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RI...

詳細(xì)摘要： Sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)，SENTECH多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用...

詳細(xì)摘要： 德國Sentech ALD實時監(jiān)測儀，SENTECH ALD實時監(jiān)測儀是一種新型的光學(xué)診斷工具，是心靈超高分辨率的單一ALD循環(huán)。在不破壞真空的條件下分析薄膜特...

詳細(xì)摘要： Nano-master 離子束刻蝕濺射鍍膜一體機 NOC-4000，提供的原子級清洗、拋光以及光學(xué)鍍膜技術(shù)。

詳細(xì)摘要： 牛津原子層刻蝕機PlasmaPro 100 ALE，它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發(fā)，通過打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。

詳細(xì)摘要： PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、 *封裝以及納米技...

詳細(xì)摘要： 牛津離子束刻蝕機Ionfab 300 IBE，離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模...

詳細(xì)摘要： PlasmaPro 80 PECVD牛津等離子沉積機，是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且...

詳細(xì)摘要： 牛津OpAL 開放式樣品載入ALD設(shè)備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，OpAL提供了專業(yè)的熱ALD設(shè)備，可以簡單明了的升級使用等離子體，使得在同...

詳細(xì)摘要： PlasmaPro 80 ICP 英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機，是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使...

詳細(xì)摘要： 牛津OXFORD System 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備，具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù)。

詳細(xì)摘要： PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機，是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且...

詳細(xì)摘要： Plasma Stripper (Asher) 等離子去膠機(灰化)，從蝕刻晶圓片上移除光刻膠。

詳細(xì)摘要： PlasmaPro 80 ICPCVD 英國Oxford 牛津等離子沉積機，是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于...

詳細(xì)摘要： RIE 等離子刻蝕機 SI 591，特別適用于采用氟基和氯基氣體的工藝，可以通過預(yù)真空室和電腦控制的等離子工藝系統(tǒng)實現(xiàn)。SI 591的特點是占地空間小，高度靈活...

詳細(xì)摘要： PECVD等離子體沉積工具Depolab 200將平行板等離子體源設(shè)計與直接負(fù)載相結(jié)合。

詳細(xì)摘要： SI 500D 代表了等離子體增強化學(xué)氣相沉積介電薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等離子體源，反應(yīng)氣體分離氣體入口，動態(tài)控溫基片電極，全控...

詳細(xì)摘要： SI 500 PPD是一種*的等離子體增強化學(xué)氣相沉積介質(zhì)薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電極，可選配低...

詳細(xì)摘要： SENTECH SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置ICP等離子源，動態(tài)溫控。