Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺式場發(fā)射掃描電鏡，可用于半導體表面缺陷觀察，幫助分析器件表面、封裝材料和微小缺陷形貌。

Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場發(fā)射電子槍，電子光學放大倍數可達 2,000,000 X，分辨率優(yōu)于 1.5 nm，適合對高分辨形貌、精細結構和微納尺度特征有要求的研發(fā)與檢測場景。

該產品具備臺式化設計、低/中/高三種真空模式、背散射探測器、二次電子探測器，并可根據需求選配能譜探測器。具體配置和價格根據樣品類型、成像需求及功能配置確定，可通過平臺詢價/留言入口獲取選型建議，并預約試樣。

產品特點：

1. 肖特基熱場發(fā)射電子槍，適合高分辨SEM成像。

2. 電子光學放大倍數可達 2,000,000 X。

3. 分辨率優(yōu)于 1.5 nm，適合微納結構觀察。

4. 加速電壓 1 kV - 20 kV 連續(xù)可調。

5. 支持低/中/高三種真空模式。

6. 標配背散射探測器和二次電子探測器，可選配能譜探測器。

7. 臺式設計，適合科研、研發(fā)和檢測實驗室部署。

8. 支持選型咨詢，可預約試樣。

應用領域：

可用于半導體表面缺陷觀察、封裝材料分析、電子材料檢測、失效分析和研發(fā)質控。

技術參數：

產品型號：Phenom Pharos G2

產品全稱：Pharos 臺式場發(fā)射電鏡

產品類型：臺式場發(fā)射掃描電鏡

光學放大：27 - 160 X

電子光學放大：2,000,000 X

分辨率：優(yōu)于 1.5 nm

電子槍：肖特基熱場發(fā)射電子槍

光學導航相機：彩色

加速電壓：1 kV - 20 kV 連續(xù)可調

真空模式：低 / 中 / 高三種模式

探測器：背散射探測器、二次電子探測器

可選探測器：能譜探測器

常見問題：

1. 這款設備適合哪些應用？適合納米材料、半導體、碳材料、催化劑、陶瓷、鋰電材料、光伏材料等高分辨形貌觀察場景。

2. 是否可以做元素分析？設備可根據需求選配能譜探測器，用于顆粒、異物或局部區(qū)域的元素分析。

3. 價格是多少？價格根據配置、探測器選項和應用需求確定，可通過平臺詢價入口獲取選型建議，并預約試樣。

如需了解 Phenom Pharos G2 在半導體表面缺陷中的配置方案、應用資料或報價信息，可通過平臺詢價/留言入口提交樣品類型與測試需求，獲取選型建議，并預約試樣。