SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及仙進(jìn)工藝的開發(fā)，具有著越的測量效率與可靠性。基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測試需要，靈活選配測量單元進(jìn)行升級。產(chǎn)品支持蕞高1200V電壓、30A大電流、1pA小電流分辨率的測量，同時(shí)檢測1kHz至2MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測量。

SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測試軟件，支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作，能夠從測量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過程，實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

30μV-1200V，1pA-30A寬量程測試能力

測量精度高，蕞高可達(dá)0.1%

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便 

自動實(shí)時(shí)參數(shù)提取、 數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線

供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件；

有機(jī)OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設(shè)備；

失效分析；

系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

主要性能指標(biāo)

低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V，Z大直流4A或脈沖30A可選
-最小電流分辨率1pA

-最小脈寬200μs
-四象限工作區(qū)間
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護(hù)

高壓I-V源測量單元
-精度0.1%        
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護(hù)

LCR表

-中速100ms模式下，基本精度可達(dá)0.05%
- 測試頻率1kHz至2MHz
-支持高壓DC偏置，Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試，C-V、C-f、 C-t

硬件指標(biāo)-IV測試

半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導(dǎo)體I-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓脈沖SMU,大電壓SMU等。用戶可根據(jù)測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實(shí)現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS等單管產(chǎn)品的測試，也可與探針臺連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級芯片測試，太陽能電池片測試等。