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武漢普賽斯儀表有限公司
標(biāo)準(zhǔn)會(huì)員 | 第5年
  • 功率靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)igbt檢測(cè)機(jī)

    功率靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)igbt檢測(cè)機(jī)集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)...

    型號(hào): PMST3520 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2026/7/30 10:24:55 對(duì)比
    功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試iv+cv曲線測(cè)試儀功率器件靜態(tài)測(cè)試功率靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • 功率半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備可靈活搭配板卡

    ATE-3146型功率半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備可靈活搭配板卡采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置高壓模塊,低壓模塊,高流模塊,電容模塊、高壓采集卡、DIO卡等。配合探針...

    型號(hào): ATE-3146 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2026/3/25 9:20:52 對(duì)比
    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體測(cè)試iv+cv曲線測(cè)試儀功率器件靜態(tài)參數(shù)功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)
  • 功率半導(dǎo)體igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)

    PMST系列功率半導(dǎo)體igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨...

    型號(hào): PMST3520 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2025/12/29 13:35:23 對(duì)比
    功率器件測(cè)試設(shè)備igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • igbt性能測(cè)試儀器失效分析等

    PMST系列igbt性能測(cè)試儀器失效分析等集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、 BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三...

    型號(hào): PMST2210 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2025/11/27 15:39:35 對(duì)比
    功率器件靜態(tài)測(cè)試igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

    IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:53 對(duì)比
    高電壓源測(cè)單元IGBT器件參數(shù)測(cè)試IGBT高壓測(cè)試國產(chǎn)源測(cè)單元國產(chǎn)SMU源測(cè)單元
  • IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

    IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 16:26:53 對(duì)比
    高電壓源測(cè)單元IGBT器件參數(shù)測(cè)試IGBT高壓測(cè)試國產(chǎn)源測(cè)單元國產(chǎn)SMU源測(cè)單元
  • igbt測(cè)試儀功率器件igbt測(cè)試機(jī)

    普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國第三代...

    型號(hào): CTMS-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2023/7/13 14:52:14 對(duì)比
    igbt測(cè)試設(shè)備igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 半導(dǎo)體器件功率循環(huán)數(shù)據(jù)采集卡

    半導(dǎo)體器件功率循環(huán)數(shù)據(jù)采集卡,是一款普賽斯自主設(shè)計(jì)開發(fā)的插卡式,支持可變速率采樣和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高精度數(shù)據(jù)采集卡。

    型號(hào): A400 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2022/7/25 13:34:45 對(duì)比
    采集卡功率器件測(cè)試數(shù)據(jù)采集半導(dǎo)體功率器件功率器件可靠性測(cè)試
  • 3000V功率器件分析儀

    3000V功率器件分析儀可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件...

    型號(hào): 普賽斯 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2022/7/21 15:17:02 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析儀功率器件靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):?jiǎn)闻_(tái)Z大3000V輸出;單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;10us的超快電流上升沿;

    型號(hào): 1000A 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2022/7/21 14:19:54 對(duì)比
    功率器件靜態(tài)測(cè)試igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

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