普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3000V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

10us的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

技術(shù)指標(biāo)                                                                           

可測(cè)項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces

集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce     sat

集電極電流Ic，集電極截止電流Ices

柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

柵極電阻Rg

電容測(cè)量

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。