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武漢普賽斯儀表有限公司
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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>儀器儀表>>功率器件測試儀>> PMST3520功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)

功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)

參   考   價(jià): ¥ 1000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號PMST3520

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2026-07-30 10:24:55瀏覽次數(shù):138次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
自動化程度 半自動 集電極-發(fā)射極 Z大電壓 3500V
集電極-發(fā)射極 蕞大電流 2000A 漏電流測試范圍 1nA~100mA
功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、納安級漏電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等

普賽斯功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測試方法靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。


測試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機(jī)、測試線、測試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測試軟件,可根據(jù)測試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機(jī)可與探針臺搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

測試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率蕞高支持1MHz。

功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)


系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測試(Z大擴(kuò)展至10kV);

大電流:支持高達(dá)6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));

高精度:支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試;

豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);

配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;

數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);


系統(tǒng)參數(shù)

功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)


測試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等



測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。

功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)


功率靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)igbt檢測機(jī)


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