-
太陽(yáng)能電池片性能分析SMU源表
傳統(tǒng)的電源只能輸出電壓或電流,而無(wú)法作為負(fù)載吸收能量,而數(shù)字源表(SMU)是一種可以提供完整的四象限運(yùn)行的精密儀表,當(dāng)工作在第2和第4象限,可以作為阱(負(fù)載)吸...
型號(hào): S200
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表電池片性能分析電池IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
數(shù)字源表IV掃描納米材料電性能
實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào),還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;...
型號(hào): S型
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
源測(cè)單元納米材料電性能測(cè)試納米材料IV測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表
實(shí)施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源,輸出恒壓或恒流、還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持...
型號(hào): S100/S200...
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
源測(cè)單元光電特性測(cè)試miniled性能測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
光伏電池IV性能測(cè)試數(shù)字源表
光伏電池IV性能測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯精密型數(shù)字源表(SMU)是對(duì)太陽(yáng)能電池和各種其他器件的I-V特性進(jìn)行表征的Z佳解決方案。其寬廣的電...
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥31000更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表光伏電池性能測(cè)試光伏電池IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE ...
型號(hào): S100
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
數(shù)字源表電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
高精密源表IV測(cè)試MOS管
高精密源表IV測(cè)試MOS管認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯S系列高精密源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的S先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸...
型號(hào): S300
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2024/1/30 14:59:07
對(duì)比
高精度源表半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
第三代半導(dǎo)體材料電性能測(cè)試高電流脈沖電源
第三代半導(dǎo)體材料電性能測(cè)試高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn),詳情上普...
型號(hào): HCPL100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/26 11:17:25
對(duì)比
脈沖電源半導(dǎo)體材料高電流測(cè)試IV曲線掃描高電流脈沖電源大電流脈沖電流源
-
第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V
普賽斯儀表第三代半導(dǎo)體材料性能分析高壓電源3500V具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量...
型號(hào): E300
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/26 11:08:26
對(duì)比
高壓源測(cè)單元第三代半導(dǎo)體材料測(cè)試IV曲線掃描儀國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元高電壓源測(cè)量單元
-
微電流數(shù)字源表IV曲線掃描
普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)...
型號(hào): S型
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/19 14:52:29
對(duì)比
源測(cè)單元分立器件測(cè)試IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
大功率led管liv測(cè)試設(shè)備
針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器,普賽斯推出國(guó)產(chǎn)化極優(yōu)性價(jià)比大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu),每層設(shè)計(jì)若干路,每路支持1-16只激光器芯片的串...
型號(hào): LDBIxx系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/19 13:52:40
對(duì)比
激光器老化測(cè)試設(shè)備大功率led管老化測(cè)試liv測(cè)試激光器老化系統(tǒng)泵浦激光器模塊可靠性分析
-
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國(guó)第三代...
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/13 15:10:21
對(duì)比
數(shù)字源表寬禁帶材料性能分析IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
igbt測(cè)試儀功率器件igbt測(cè)試機(jī)
普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國(guó)第三代...
型號(hào): CTMS-1000...
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2023/7/13 14:52:14
對(duì)比
igbt測(cè)試設(shè)備igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
-
國(guó)產(chǎn)多通道源表測(cè)試氣體傳感器
氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),...
型號(hào): 1003C
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2022/11/25 9:24:06
對(duì)比
源測(cè)單元氣體傳感器測(cè)試氣體傳感器IV曲線掃描國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元SMU源測(cè)單元
-
半導(dǎo)體器件功率循環(huán)數(shù)據(jù)采集卡
半導(dǎo)體器件功率循環(huán)數(shù)據(jù)采集卡,是一款普賽斯自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的插卡式,支持可變速率采樣和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高精度數(shù)據(jù)采集卡。
型號(hào): A400
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2022/7/25 13:34:45
對(duì)比
采集卡功率器件測(cè)試數(shù)據(jù)采集半導(dǎo)體功率器件功率器件可靠性測(cè)試
-
3000V功率器件分析儀
3000V功率器件分析儀可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件...
型號(hào): 普賽斯
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2022/7/21 15:17:02
對(duì)比
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀功率器件靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
-
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):?jiǎn)闻_(tái)Z大3000V輸出;單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;10us的超快電流上升沿;
型號(hào): 1000A
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2022/7/21 14:19:54
對(duì)比
功率器件靜態(tài)測(cè)試igbt靜態(tài)測(cè)試I-V特性曲線掃描功率器件靜態(tài)參數(shù)IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
-
分辨率1pA國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表帶脈沖
分辨率1pA國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表帶脈沖是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大輸出電壓達(dá)300V...
型號(hào): P系列
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/10/19 14:58:10
對(duì)比
脈沖數(shù)字源表半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊
-
VCSEL失效性分析用插卡式源表
VCSEL失效性分析用插卡式源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表CS系列插卡式源表,目前有1003CS和1010CS兩款主機(jī),分別支持3插槽和10插槽,使用10插卡主機(jī)時(shí),用戶可...
型號(hào): 1010C
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/10/13 15:12:09
對(duì)比
多通道源表VCSEL失效性分析vcsel老化測(cè)試國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表插卡式多通道源表
-
vcsel老化測(cè)試用國(guó)產(chǎn)源表
vcsel老化測(cè)試用國(guó)產(chǎn)源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表CS系列插卡式源表,目前有1003CS和1010CS兩款主機(jī),分別支持3插槽和10插槽,使用10插卡主機(jī)時(shí),用戶可實(shí)現(xiàn)...
型號(hào):
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/10/13 15:08:36
對(duì)比
插卡式源表vcsel老化測(cè)試vcsel失效性分析國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表插卡式多通道源表
-
對(duì)標(biāo)2611B國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表
P 系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大輸出電壓達(dá)300V ,Z大脈沖輸...
型號(hào): P100
所在地:武漢市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2021/10/13 15:02:42
對(duì)比
源測(cè)單元半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)SMU模塊