芯片測試作為芯片設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測，區(qū)別缺陷、驗證器件是否符合設(shè)計目標(biāo)、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）及FVMI（加電壓測電流）。
傳統(tǒng)的芯片電性能測試需要數(shù)臺儀表完成，如電壓源、電流源、萬用表等，然而由數(shù)臺儀表組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過程復(fù)雜又耗時，又占用過多測試臺的空間，而且使用單一功能的儀表和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺陷，無法滿足高效率測試的需求。
實施芯片電性能測試的蕞佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)，數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負(fù)載，支持四象限功能，可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。更多有關(guān)MEMS芯片電性能測試數(shù)字源表詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

此外，由于芯片的規(guī)模和種類迅速增加，很多通用型測試設(shè)備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求，但受接口容量和測試軟件運行模式的限制，無法同時對多個被測器件（DUT）進(jìn)行測試，因此規(guī)?；臏y試效率極低。特別是在生產(chǎn)和老化測試時，往往要求在同一時間內(nèi)完成對多個DUT的測試，或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務(wù)。

基于普賽斯PXIe系列多通道插卡式數(shù)字源表搭建的測試平臺，可進(jìn)行多路供電及電參數(shù)的并行測試，高效、精確地對芯片進(jìn)行電性能測試和測試數(shù)據(jù)的自動化處理。滿足多卡設(shè)備高速率通信需求；匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，具有通道密度高、同步觸發(fā)功能強(qiáng)、多設(shè)備組合效率高等特點，蕞高8通道。

使用普賽斯數(shù)字源表進(jìn)行芯片的開短路測試(Open/Short  Test)、漏電流測試（Leakage  Test）以及DC參數(shù)測試（DC ParametersTest）。

開短路測試（Open-Short  Test，也稱連續(xù)性或接觸測試），用于驗證測試系統(tǒng)與器件所有引腳的電接觸性，測試的過程是借用對地保護(hù)二極管進(jìn)行的，測試連接電路如下所示：

漏電流測試，又稱為Leakage  Test，漏電流測試的目的主要是檢驗輸入Pin腳以及高阻狀態(tài)下的輸出Pin腳的阻抗是否夠高，測試連接電路如下所示：

DC參數(shù)的測試，一般都是Force電流測試電壓或者Force電壓測試電流，主要是測試阻抗性。一般各種DC參數(shù)都會在Datasheet里面標(biāo)明，測試的主要目的是確保芯片的DC參數(shù)值符合規(guī)范：

MEMS芯片電性能測試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下納安級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富