Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

• 使用具有高電流 UC+ 單色器技術(shù)的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級(jí) SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細(xì)致的細(xì)節(jié)信息。
• 使用新一代 2.5 μA 氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進(jìn)行較高通量和質(zhì)量相關(guān) 3D 表征、橫向切片和微加工。
• 使用自動(dòng)搖擺研磨機(jī)，可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)率、無(wú)屏障大面積橫向切片制備并獲得高質(zhì)量 TEM 片晶。
• 實(shí)現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
• 通過(guò)可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進(jìn)行電子和離子束誘導(dǎo)的沉積及蝕刻的較高級(jí)功能。
• 在常規(guī)和低 k 電介質(zhì)中，采用專有的 Dx 和 DE 化學(xué)過(guò)程對(duì)銅金屬化進(jìn)行逆向處理。并通過(guò)基于等離子 FIB 的化學(xué)過(guò)程和配方銑削的包裝材料。