Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，可用于半導(dǎo)體表面缺陷觀察，幫助分析器件表面、封裝材料和微小缺陷形貌。

Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍，電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 2,000,000 X，分辨率優(yōu)于 1.5 nm，適合對(duì)高分辨形貌、精細(xì)結(jié)構(gòu)和微納尺度特征有要求的研發(fā)與檢測(cè)場(chǎng)景。

該產(chǎn)品具備臺(tái)式化設(shè)計(jì)、低/中/高三種真空模式、背散射探測(cè)器、二次電子探測(cè)器，并可根據(jù)需求選配能譜探測(cè)器。具體配置和價(jià)格根據(jù)樣品類型、成像需求及功能配置確定，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)/留言入口獲取選型建議，并預(yù)約試樣。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍，適合高分辨SEM成像。

2. 電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 2,000,000 X。

3. 分辨率優(yōu)于 1.5 nm，適合微納結(jié)構(gòu)觀察。

4. 加速電壓 1 kV - 20 kV 連續(xù)可調(diào)。

5. 支持低/中/高三種真空模式。

6. 標(biāo)配背散射探測(cè)器和二次電子探測(cè)器，可選配能譜探測(cè)器。

7. 臺(tái)式設(shè)計(jì)，適合科研、研發(fā)和檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室部署。

8. 支持選型咨詢，可預(yù)約試樣。

應(yīng)用領(lǐng)域：

可用于半導(dǎo)體表面缺陷觀察、封裝材料分析、電子材料檢測(cè)、失效分析和研發(fā)質(zhì)控。

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品型號(hào)：Phenom Pharos G2

產(chǎn)品全稱：Pharos 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射電鏡

產(chǎn)品類型：臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

光學(xué)放大：27 - 160 X

電子光學(xué)放大：2,000,000 X

分辨率：優(yōu)于 1.5 nm

電子槍：肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍

光學(xué)導(dǎo)航相機(jī)：彩色

加速電壓：1 kV - 20 kV 連續(xù)可調(diào)

真空模式：低 / 中 / 高三種模式

探測(cè)器：背散射探測(cè)器、二次電子探測(cè)器

可選探測(cè)器：能譜探測(cè)器

常見(jiàn)問(wèn)題：

1. 這款設(shè)備適合哪些應(yīng)用？適合納米材料、半導(dǎo)體、碳材料、催化劑、陶瓷、鋰電材料、光伏材料等高分辨形貌觀察場(chǎng)景。

2. 是否可以做元素分析？設(shè)備可根據(jù)需求選配能譜探測(cè)器，用于顆粒、異物或局部區(qū)域的元素分析。

3. 價(jià)格是多少？?jī)r(jià)格根據(jù)配置、探測(cè)器選項(xiàng)和應(yīng)用需求確定，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)入口獲取選型建議，并預(yù)約試樣。

如需了解 Phenom Pharos G2 在半導(dǎo)體表面缺陷中的配置方案、應(yīng)用資料或報(bào)價(jià)信息，可通過(guò)平臺(tái)詢價(jià)/留言入口提交樣品類型與測(cè)試需求，獲取選型建議，并預(yù)約試樣。