本設(shè)備為偏置靶型單靶磁控鍍膜儀,磁控靶偏置于腔體一側(cè),濺射范圍可覆蓋樣品臺一半,通過樣品臺旋轉(zhuǎn)可以實現(xiàn)更大樣品的均勻鍍膜。理論*大支持樣品直徑為180mm。設(shè)備外形為桌面級別,大大減少了安裝場地需求。設(shè)備配有一個直流電源,可用于金屬及其他導(dǎo)電材料的濺射。設(shè)備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組,抽氣速度快,極限真空度高,真空性能優(yōu)異。本設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊功能*便于使用,非常適合用于各類鍍膜試驗。
偏置靶型單靶磁控鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
| CY-MSP300G-RB (rotate bias) 桌面型大腔體偏置靶單靶磁控鍍膜儀 | ||||
| 樣品臺 | 尺寸 | φ150mm | 轉(zhuǎn)速 | 轉(zhuǎn)速0-20rpm可調(diào) |
| 磁控濺射靶 | 數(shù)量 | 2” x1 偏置于腔體一側(cè) |
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| 真空腔體 | 腔體尺寸 | φ300mm X 200mm | 觀察窗口 | 全向可視 |
| 腔體材料 | 高純石英 | 開啟方式 | 頂蓋拆卸式 | |
| 下法蘭 | 裝有旋轉(zhuǎn)式樣品臺及進出氣口 | |||
| 真空系統(tǒng) | 機械泵 | 雙級旋片泵 | 抽氣接口 | KF16 |
| 分子泵 | 渦輪分子泵 | 抽氣接口 | KF40 | |
| 真空測量 | 電阻規(guī)+電離規(guī)復(fù)合真空計 | 排氣接口 | KF40 | |
| 極限真空 | 1.0E-3Pa | 供電電源 | AC 220V 50/60Hz | |
| 抽氣速率 | 前級泵 1.1L/s 分子泵:60L/S | |||
| 電源配置 | 數(shù)量 | 直流電源 x1 | *大輸出功率 | 直流電源300W |
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其他 | 供電電壓 | AC220V,50Hz | 整機尺寸 | 500mm X 320mm X6200mm |
| 整機功率 | 2kW |
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