MiniLED光電特性測試

MiniLED芯片在被封裝前后，需要經(jīng)過檢測工序，以剔除其中的不合格品。其中，光電性能檢測是非常重要的指標(biāo)參數(shù)。光電性能檢測是指對晶圓上的芯片，或者封裝后的成品，對其電壓(V)、電流（I），V_FD，波長(WD)、亮度(LOP)、抗靜電能力(ESD)，等光電性性能逐一進(jìn)行測試，得到實(shí)際數(shù)值，進(jìn)而為后續(xù)加工生產(chǎn)提供可靠的產(chǎn)品實(shí)際性能信息。由于Mini   LED具有尺寸小，使用數(shù)量大等特性，因此，其光電特性測試也提出了新的要求。

高精度微弱電流

由于MiniLED本身的特性，正向點(diǎn)亮測試時(shí)，輸入電流較小，一般在mA，甚至uA；反向高壓漏電流測試，電流甚至低至nA。精確穩(wěn)定地輸出與測量電流，是獲取準(zhǔn)確測試結(jié)果數(shù)據(jù)的先決條件。

高效率

MiniLED生產(chǎn)工藝效率要求高，預(yù)留給芯片的電性能測試時(shí)間，一般控制在十幾ms以內(nèi)。高效快速的輸出與檢測電壓、電流，是提升生產(chǎn)效率的重要保證。

廣泛兼容性

Mini   LED測試，往往需采用自動化設(shè)備來進(jìn)行，且測試項(xiàng)目包含電壓，電流等電特性參數(shù)，以及光譜，光功率等光性能參數(shù)。廣泛的軟硬件兼容性，有助于終端用戶，根據(jù)實(shí)際測試要求，選配不同測試儀器，以及自動化設(shè)備。

利用數(shù)字源表進(jìn)行Mini LED光電特性測試

實(shí)施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源，輸出恒壓或恒流、還可以當(dāng)作表，進(jìn)行電壓或者電流測量；支持Trig觸發(fā)，可實(shí)現(xiàn)與光譜儀，探針臺，分選機(jī)等第三方設(shè)備聯(lián)動工作。

目前，光電性能檢測是通過Mini   LED點(diǎn)測機(jī)實(shí)現(xiàn)的，用于測量晶圓上每一顆芯片。點(diǎn)測機(jī)的主要結(jié)構(gòu)單元包括探針臺，電性能測試單元，光性能測試單元，以及上位機(jī)控制系統(tǒng)等。該工序根據(jù)實(shí)際情況，位于晶圓劃片前，或者后工序。設(shè)備基本構(gòu)成主要包括探針臺，電子顯微鏡，SMU，ESD，工控機(jī)，積分球，光譜儀等。其中，SMU的作用是對芯片進(jìn)行IV特性測試，同時(shí)在光學(xué)測試中，對芯片進(jìn)行供電。

常用的電性能測試項(xiàng)目包括，V_F1,V_F2,I_R,V_Z,V_FD,D_VF等。

⑴ V_F（正向電壓）測試， FIMV： 一般會測兩個點(diǎn)， D一個點(diǎn)V_F1為 LED剛點(diǎn)亮?xí)r電壓， 第二個點(diǎn)V_F2為LED 正常工作時(shí)的電壓；
⑵ V_Z（反向擊穿電壓）測試， FIMV：一定反向電流時(shí)，器件兩端的電壓;
⑶ I_R（反向泄露電流）測試， FVMI： 一定反向電壓時(shí)， 流過器件的電流；
⑸ D_VF 測試，材料熱縮效應(yīng)測試， FIMV： 對LED施加兩次不同的電流，并計(jì)算不同條件下的電壓差；
⑹ V_FD 測試，正向電壓暫態(tài)峰值電壓測試， FIMV： 對LED施加一定的正向電流，同時(shí)采集電壓變化，   尖峰電壓與正常電壓的差值即為V_FD；                                          

miniled光電特性測試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，武漢普賽斯一直專注于半導(dǎo)體，LED，激光器的光電性能測試儀表開發(fā)，基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺優(yōu)勢，S先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表，Mini LED源表測試系統(tǒng)等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體，LED，激光器等產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、測試場景。可夠根據(jù)用戶的需求提供高性能，高效率，高性價(jià)比的半導(dǎo)體，LED，激光器測試系統(tǒng)級解決方案。miniled光電特性測試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表