物理參數(shù)

尺寸：

182mm x 110mm x 47mm

重量：

1.18kg（2.6 lb.）

探測(cè)器

探測(cè)器：

Hamamatsu InGaAs光電二極管陣列探測(cè)器
（256元素和512元素陣列）

檢測(cè)器范圍：

~800-2500nm

像素：

512型：512
256型：256

像素尺寸：

512，512-1.9型：25μm x 500μm
512-2.2，512-2.5型：25μm x 250μm
256型：50μm x 500μm

光學(xué)

光學(xué)分辨率：

512-1.7:~3.1nm w/25μm狹縫
512-1.9:~3.1nm w/25μm狹縫
512-2.2:~5nm w/25μm狹縫
512-2.5:~6.3nm w/25μm狹縫
256-2.1:~7.6nm w/25μm狹縫
256-2.5:~9.5nm w/25μm狹縫

信噪比：

10000:1（全信號(hào)）

A/D 轉(zhuǎn)換：

16 bit

暗噪聲：

6–24Rmscounts取決于型號(hào)和積分時(shí)間

動(dòng)態(tài)范圍：

7500–15000:1單次采集取決于型號(hào)

積分時(shí)間：

1ms– 120秒

線性校準(zhǔn)：

512, 512-1.9, 512-2.2, 256-2.1: >99.8%;
512-2.5, 256-2.5: >99.6%

電子

耗電量：

250 mA @ 5 VDC

輸入/輸出

板載可編程的GPIO

觸發(fā)模式：

4種模式

頻閃功能：

有

門延遲特性：

是

連接器：

30-pin連接器：