感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)
產(chǎn)品性能及特點(diǎn)
◆設(shè)備穩(wěn)定可靠、工藝，主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽(yáng)能電池片RIE工藝。
◆可用于2-8寸工藝尺寸。
◆設(shè)備采用半導(dǎo)體刻蝕機(jī)的成熟技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)腔室內(nèi)等離體密度的均勻控制，滿足多種材料刻蝕工藝的要求。
◆設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)，整機(jī)包括工藝模塊（PM: Process Module）和傳輸模塊（TM: Transfer Module）。基片在工藝模塊內(nèi)進(jìn)行刻
蝕，工藝時(shí)，在基片上方產(chǎn)生等離子體，對(duì)基片進(jìn)行刻蝕。傳輸模塊裝有全自動(dòng)機(jī)械手取放片，或者安全性高互鎖機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)基片在
傳輸模塊和工藝模塊之間的傳輸，其傳輸方式可以根據(jù)客戶要求選配。
◆具備全自動(dòng)的軟件操作系統(tǒng)/半自動(dòng)操作，可以根據(jù)客戶選配
◆主要應(yīng)用范圍：半導(dǎo)體芯片，TFT器件，膜層集成圖像化，太陽(yáng)能電池，銀納米，石墨烯等新材料制備等



主要技術(shù)參數(shù)

真空室工位	單腔、多腔（MAX:7）
反應(yīng)室極限真空度	≤1x10-4Pa
工藝壓強(qiáng)范圍	2～133 Pa
樣片尺寸	2～8英寸
刻蝕速率：	100～3000nm/min
刻蝕均勻性	±3%～±5%
RF電源	13.56MHZ /2MHZ/4MHZ 可選
樣片熱/冷卻方式	Chiller ， 可選He冷背吹
操作方式	全自動(dòng)方式、半自動(dòng)方式