高真空磁控濺射鍍膜儀設備用途:
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
高真空磁控濺射鍍膜儀技術參數(shù):
真空室 | 梨型真空室,尺寸? 560×350mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 復合分子泵、機械泵、閘板閥 | |
極限壓力 | 2.0 * 10-5 Pa (經烘烤除氣后) | |
恢復真空時間: | 40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣)
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磁控靶組件 | 永磁靶5套;靶材尺寸?60mm(其中一個可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內水冷;靶與樣品距離 90~130mm可調;
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基片水冷加熱公轉臺 | 基片結構 | 設計6個工位,其中1個工位安裝加熱爐,其余工位為水冷基片臺 |
樣品尺寸 | ?30mm,可放置6片 | |
運動方式 | 0?360℃往復回轉 | |
加熱 | 基片加熱*高溫度600℃±1℃ | |
基片負偏壓 | -200V | |
氣路系統(tǒng) | 質 量 流 量 控制器 2 路 | |
計算機控制系統(tǒng) | 控制樣品轉動,擋板開關,靶位確認等 | |
設備占地面積 | 主機 | 1300×800mm2 |
電控柜 | 700×700m2 | |


















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