詳細(xì)介紹
PICOSUN P-200S Pro ALD 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
技術(shù)參數(shù)
襯底尺寸和類型:
。50 – 200 mm /單片
。156 mm x 156 mm 太陽能硅片
。150 mm x 150 mm 顯示面板
工藝溫度: 50 - 500 °C , 可選更高溫度
基片傳送選件 :
。氣動升降(手動裝載)
。半自動裝載,用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
。25片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
標(biāo)準(zhǔn): SEMI S2 認(rèn)證(認(rèn)證中)
前驅(qū)體:
。 液態(tài), 固態(tài), 氣態(tài), 臭氧源, 等離子體(最多4路氣體):
。前驅(qū)源余量傳感器,并提供清洗和裝源服務(wù)
。6根獨(dú)立源管線,最多加載12個前驅(qū)體源(加上Plasma管路,共7根獨(dú)立源管線)
重量 :790 kg
尺寸 :(W x H x D) 160 cm x 80 cm x 240 cm
可選件 :集群工具, PICOFLOW™ 擴(kuò)散增強(qiáng)器, 集成橢偏儀, QCM, RGA, N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計,與工廠軟件連接服務(wù)。
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) :。標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝,
。其他工藝可具體協(xié)商:其他工藝、應(yīng)用具體驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)如:
- 不均勻性
- 顆粒物含量
- 重金屬污染
- 電學(xué)性能
一個PICOPLATFORM™ 200真空集群系統(tǒng)由兩臺PICOSUN™ P-200S ALD設(shè)備組成,帶等離子體源PICOPLASMA™。

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