芬蘭 PICOSUN™ R-200標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機ALD

技術(shù)參數(shù)

。襯底尺寸和類型 50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽能硅片
。3D 復(fù)雜表面襯底
。粉末與顆粒
。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
。工藝溫度 ：50 - 500 °C , 可選更高溫度
。基片傳送選件 ：氣動升降（手動裝載） ，預(yù)真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
。前驅(qū)體 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 ，4根獨立源管線，最多加載6個前驅(qū)體源
。重量 ：350 kg
。尺寸： (W x H x D) 取決于選件
-最小146 cm x 146 cm x 84 cm
-189 cm x 206 cm x 111 cm
。選件 ：PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2 發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè) 計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
。驗收標(biāo)準(zhǔn) ：標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3工藝




PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)的均勻性，包括挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。
我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個獨立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。