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R-200高級型 原子層沉積機

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更新時間:2021-07-14 08:56:50瀏覽次數(shù):286

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產(chǎn)品簡介

芬蘭PICOSUN R-200高級型 原子層沉積機

詳細介紹


芬蘭PICOSUN™ R-200高級型 ALD

技術(shù)參數(shù)
襯底尺寸和類型 :
。50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽能硅片
。3D復(fù)雜表面襯底
。粉末與顆粒
。Roll-to-roll , 襯底寬 70 mm
。多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度: 50 - 500 °C , 可選更高溫度
基片傳送選件:
。氣動升降(手動裝載)
。預(yù)真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )
。半自動裝載,用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)
。25片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)

前驅(qū)體 :
。液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體(最多4路氣體)
。6根獨立源管線,最多加載12個前驅(qū)體源(加上Plasma管路,共7根獨立源管線)

重量 :350 + 200 kg
尺寸 :(W x H x D) 取決于選件
最小 :146 cm x 146 cm x 84 cm
:189 cm x 206 cm x 111 cm
選件 :集群工具,PICOFLOW™ 擴散增強器,集成橢偏儀,QCM,RGA,超高真空兼容,N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計,手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)
驗收標(biāo)準(zhǔn) :標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3工藝

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