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芯片廠商為實(shí)現(xiàn)良率趕超，對(duì)整體制造要求十分苛刻，工序繁瑣。即便每道工序良率在99.99%，經(jīng)過500道工序疊加，最終的良品率也才能超過95%;同理，如果每道工序的良品率下降至99.98%，最終的總良品率跌降至90%。因此，清洗步驟作為貫穿整個(gè)流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，就成為保證芯片生產(chǎn)良品率主要因素。

據(jù)了解，以60nm制程為例，清洗工藝約有100個(gè)步驟，20nm-5nm等先進(jìn)制程里清洗工藝約有200以上道步驟，隨著工藝制程越高，需要的清洗工藝環(huán)節(jié)越多，清洗頻率也越高;同時(shí)隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，整個(gè)清洗步驟次數(shù)約以15%的速度增加。

半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)和清洗集成電路芯片及封裝、液晶顯示器、高精度電路板、光電器件等各種電子器件的時(shí)候，使用的水也并非自來水，普通水中的金屬離子會(huì)影響硅片的閾值電壓，細(xì)菌有機(jī)物易導(dǎo)致硅片短路漏電，溶解氣體將干擾硅片的氧化覆膜。因此，需要用超純水對(duì)芯片進(jìn)行清洗。

超純水猶如芯片的血脈一般，純凈無暇，通過預(yù)處理、初級(jí)制備和拋光處理三個(gè)步驟，剔除其中細(xì)菌、病毒、含氯二噁英、礦物微量元素等雜質(zhì)，獲得僅含有氧和氫且電阻率達(dá)到18 MΩ*cm(25℃)的水。這樣的超純水幾乎不導(dǎo)電，不會(huì)影響電子產(chǎn)品的性能，同時(shí)水中幾乎不含金屬離子，不會(huì)對(duì)復(fù)雜芯片表面造成劃痕或者不可逆的影響。當(dāng)集成電路的集成度越高，線寬越窄，對(duì)水質(zhì)的要求也就越高。

由此可見，水質(zhì)的好壞與芯片的良品率和合格率密切相關(guān)。如超純水質(zhì)無法保證，或?qū)⒃斐蓮S商上億的經(jīng)濟(jì)損失!

超純水設(shè)備除了了解工藝，懂得如何生產(chǎn)滿足工藝指標(biāo)要求的超純水外，保持系統(tǒng)的穩(wěn)定同樣對(duì)于芯片制造至關(guān)重要，這不僅與終端材料和規(guī)格的選擇，系統(tǒng)管路設(shè)計(jì)的優(yōu)化相關(guān)，同時(shí)與超純水設(shè)備的控制系統(tǒng)有關(guān)。

萊特萊德專注于超純水領(lǐng)域多年，為行業(yè)客戶提供優(yōu)質(zhì)的超純水與循環(huán)再生解決方案及裝備。萊特萊德超純水設(shè)備采用反滲透技術(shù)與電去離子(EDI)技術(shù)相結(jié)合的方式來制取超純水，這樣的超純水設(shè)備無論出水還是制作過程都是環(huán)保且符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的。超純水設(shè)備可以將水中的導(dǎo)電介質(zhì)幾乎去除，又將水中不離解的膠體物質(zhì)、氣體及有機(jī)物均去除至很低程度，符合超純水出水標(biāo)準(zhǔn)。