基于廣大科研界對實現(xiàn)大面積單層石墨烯薄膜在工業(yè)銅箔基底上卷對卷宏量制備的需求,我公司開發(fā)出一種新的卷對卷連續(xù)快速生長石墨烯薄膜的方法，設(shè)計并研制了可達到中試水平的石墨烯卷對卷化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，通過對石墨烯成核與生長的調(diào)控實現(xiàn)高品質(zhì)石墨烯薄膜生長；此款設(shè)備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續(xù)生長爐，它由高溫生長腔體，三路質(zhì)量流量計氣路系統(tǒng)，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放銅箔的密封裝置，自動化控制系統(tǒng)組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔的密封裝置），收放銅箔的密封裝置內(nèi)分別對應(yīng)安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現(xiàn)有技術(shù)具有快速冷卻、連續(xù)生長的優(yōu)點，可以進行大面積、高質(zhì)量石墨烯的規(guī)?；L。