在半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中，晶圓、芯片、電路板等器件的清洗環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)純度要求，水中哪怕微量的離子、雜質(zhì)都會(huì)影響芯片良率與器件性能。1T/H（每小時(shí)產(chǎn)水1噸）半導(dǎo)體專(zhuān)用超純水設(shè)備，是專(zhuān)為中小型半導(dǎo)體生產(chǎn)、研發(fā)場(chǎng)景設(shè)計(jì)的超純水制備系統(tǒng)，可穩(wěn)定產(chǎn)出符合電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的超純水，滿足中小規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)、研發(fā)的清洗用水需求，是中小晶圓加工廠、半導(dǎo)體封裝測(cè)試廠、電子器件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的核心配套水處理設(shè)備。

核心定位與適用場(chǎng)景

半導(dǎo)體生產(chǎn)的集成度越高，對(duì)超純水的純度要求越嚴(yán)苛：目前電子級(jí)超純水按電阻率分為五個(gè)等級(jí)，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，1T/H的產(chǎn)水規(guī)模剛好匹配中小體量的半導(dǎo)體生產(chǎn)用水需求，適配日均清洗量在中小規(guī)模的晶圓切片、半導(dǎo)體封裝、線路板生產(chǎn)場(chǎng)景，也能滿足半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、光電器件生產(chǎn)車(chē)間的用水要求。

該設(shè)備的核心適用場(chǎng)景包括：

中小型半導(dǎo)體工廠：半導(dǎo)體材料加工、單晶硅生產(chǎn)、集成電路封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的半成品/成品清洗用水

電子元器件生產(chǎn)：印刷電路板、液晶顯示器、光電器件、光學(xué)鏡片的清洗工序

研發(fā)場(chǎng)景：半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、高校微電子相關(guān)實(shí)驗(yàn)室的實(shí)驗(yàn)用水，以及超純化學(xué)試劑勾兌用水

主流制備工藝

目前1T/H半導(dǎo)體專(zhuān)用超純水設(shè)備主流采用環(huán)保高效的**雙級(jí)反滲透+EDI（連續(xù)電除鹽）**工藝，可根據(jù)對(duì)水質(zhì)的更高要求增加拋光樹(shù)脂終端處理，具體工藝流程分為兩類(lèi)：

常規(guī)15MΩ.cM工藝：原水箱→原水泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→軟化過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→一級(jí)增壓泵→一級(jí)反滲透→中間水箱→二級(jí)增壓泵→二級(jí)反滲透→純化水箱→EDI輸送泵→EDI設(shè)備→超純水箱→輸送泵→使用點(diǎn)，出水電阻率可達(dá)≥15MΩ.cM，滿足常規(guī)半導(dǎo)體器件清洗需求。

18MΩ.cM工藝：在上述工藝基礎(chǔ)上，增加紫外線殺菌+拋光樹(shù)脂+0.22μm精密過(guò)濾環(huán)節(jié)，最終出水電阻率可達(dá)≥18MΩ.cM，大規(guī)模集成電路、超細(xì)線寬晶圓加工的超高標(biāo)準(zhǔn)水質(zhì)要求。

相較于傳統(tǒng)的離子交換混床工藝，該工藝無(wú)需酸堿再生，無(wú)污水排放，不會(huì)因再生停機(jī)，運(yùn)行成本僅為傳統(tǒng)工藝的65%，更符合現(xiàn)代化生產(chǎn)的環(huán)保與效率要求。

核心技術(shù)參數(shù)

目前主流量產(chǎn)的1T/H半導(dǎo)體專(zhuān)用超純水設(shè)備，核心參數(shù)如下：

額定產(chǎn)水量：1噸/小時(shí)

脫鹽率：≥99.99%，機(jī)型可達(dá)99.9999%

出水電阻率：穩(wěn)定在15-18.2MΩ.cm（25℃），對(duì)應(yīng)電導(dǎo)率≤0.06μs/cm

進(jìn)水要求：城市自來(lái)水，進(jìn)水水溫5-35℃，工作壓力≤1.0MPa

供電要求：AC380V/50HZ（三相四線），額定功率約2KW

設(shè)備核心優(yōu)勢(shì)

水質(zhì)高度穩(wěn)定：搭配在線電導(dǎo)率/電阻率實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)把控水質(zhì)，產(chǎn)水純度長(zhǎng)期穩(wěn)定符合電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，滿足半導(dǎo)體生產(chǎn)對(duì)水質(zhì)的嚴(yán)苛要求。

自動(dòng)化程度高：采用PLC全自動(dòng)控制，可自動(dòng)完成產(chǎn)水、沖洗、維護(hù)流程，不需要專(zhuān)人值守，操作簡(jiǎn)單安全，降低人工運(yùn)維成本。

環(huán)保節(jié)能：EDI模塊不需要酸堿化學(xué)再生，無(wú)二次污染，也省去了化學(xué)藥劑儲(chǔ)運(yùn)和廢液處理成本；搭配節(jié)能型EDI模塊，耗電更低，運(yùn)行成本遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)工藝。

結(jié)構(gòu)緊湊省空間：采用模塊化堆疊設(shè)計(jì)，整體占地面積僅約1平方米，僅為傳統(tǒng)工藝設(shè)備的15%，適配中小工廠的場(chǎng)地條件。

可連續(xù)生產(chǎn)：不會(huì)因樹(shù)脂再生環(huán)節(jié)停機(jī)，可24小時(shí)不間斷制水，保障半導(dǎo)體生產(chǎn)的連續(xù)性。