江福林
當前位置:湖北濱潤環(huán)??萍加邢薰?/a>>>超純水設備>> BR孝感市半導體專用0.5噸/H超純水設備
| 產地 | 國產 | 產品新舊 | 全新 |
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在芯片制造、封裝測試等半導體生產環(huán)節(jié)中,超純水的水質純度直接決定產品良率——即使1ppt級的雜質殘留,也會在芯片微觀線路上造成缺陷,導致整批晶圓報廢。孝感市半導體專用0.5噸/H超純水設備,是專為中小型芯片設計廠、半導體封裝測試企業(yè)、晶圓代工廠配套車間、功率器件生產廠定制開發(fā)的高純水制備系統(tǒng),可穩(wěn)定產出符合SEMI C12標準的18.2MΩ·cm(25℃)超純水,滿足日產能千級晶圓片、萬級功率器件的生產用純水需求,是中小型半導體生產研發(fā)場景的高性價比純水解決方案。
這款設備針對半導體行業(yè)對超純水的要求設計,采用預處理+二級RO反滲透+EDI電去離子+終端精處理的成熟工藝路線,可完整去除水中懸浮物、膠體、溶解性離子、有機物、微生物、二氧化硅等所有雜質,出水水質穩(wěn)定滿足SEMI國際半導體行業(yè)標準與GB/T 11446.1-2013電子級超純水標準,適配中小型半導體生產與研發(fā)場景的用水需求。
一、核心應用場景
0.5噸/H的產水量適配中小型半導體生產與研發(fā)場景,可覆蓋全流程用水需求:
中小型晶圓制造與切片加工:滿足中小尺寸晶圓生產過程中切片、研磨、蝕刻、清洗等環(huán)節(jié)的超純水需求,日處理晶圓產能可達千片級,保障晶圓表面雜質殘留符合工藝要求。
半導體封裝測試環(huán)節(jié):適合封裝測試工廠的芯片切割、清洗、塑封前處理等工序用水,可去除水中顆粒物與金屬離子,避免封裝過程中引入雜質影響芯片可靠性。
功率器件與分立器件生產:滿足MOSFET、IGBT等功率半導體生產過程中硅片清洗、擴散、氧化等工藝用水需求,保障器件擊穿電壓、漏電流等關鍵性能指標穩(wěn)定。
半導體研發(fā)與中試環(huán)節(jié):適配高校半導體實驗室、芯片設計企業(yè)研發(fā)中試線、創(chuàng)業(yè)型晶圓廠小批量試生產的用水需求,設備占地小、啟動快,可靈活匹配研發(fā)產能調整。
光學與光電子半導體生產:可滿足LED芯片、Mini/Micro LED面板、激光芯片等光電半導體生產的玻璃基板、芯片清洗需求,避免顆粒物殘留造成顯示缺陷。
二、核心工藝路線設計
設備針對半導體對水質的要求,采用五級凈化工藝,逐步去除各類雜質,保障最終出水純度:
預處理單元:原水先經過多介質過濾器去除泥沙、懸浮物、膠體,再經過活性炭過濾器吸附水中余氯、大分子有機物,最后通過精密保安過濾器過濾截留5μm以上顆粒物,保護后續(xù)反滲透膜不受大顆粒雜質劃傷損壞,延長反滲透膜使用壽命。
一級反滲透(RO)單元:通過高壓泵將預處理水送入一級RO膜組,可去除水中98%以上的溶解性鹽類、99%以上的膠體、有機物、微生物,初步降低水的電導率,為后續(xù)凈化降低負荷。
二級反滲透(RO)單元:一級RO出水進入二級RO單元進一步脫鹽,再次去除殘余的離子、二氧化硅與有機物,二級RO出水的電導率可降至0.1μS/cm以下,滿足EDI進水要求。
EDI電去離子單元:利用電場作用進一步去除水中殘余的離子,不需要酸堿再生即可完成連續(xù)產水,相比傳統(tǒng)混床工藝更環(huán)保,出水電阻率穩(wěn)定可達17MΩ·cm以上。
終端精處理單元:EDI出水經過拋光混床、紫外線殺菌(185nm波長)、0.05μm終端微孔過濾器,最后去除殘余離子、TOC與微生物,最終產出電阻率穩(wěn)定在18.2MΩ·cm(25℃)、顆粒數(shù)、總硅、金屬離子雜質含量均符合SEMI C12標準的超純水,可直接供給生產用水點。
三、針對半導體行業(yè)的核心技術特點
1. 全流程控制雜質,滿足SEMI等級水質要求
半導體生產對水中的金屬離子、總硅、顆粒物、TOC的控制要求遠高于普通行業(yè),這款設備做了針對性設計:
針對性雜質去除設計:在二級RO單元加裝了專用脫硅膜片,可將水中總硅含量控制在0.05μg/L以下;終端設置185nm紫外線氧化裝置,將TOC穩(wěn)定控制在10ppb以內,滿足芯片制造對有機物殘留的要求。
終端高精度過濾:采用0.05μm的進口聚醚砜微孔終端過濾器,可截留所有大于0.05μm的顆粒物,出水顆粒數(shù)符合SEMI C12標準,避免顆粒物殘留劃傷晶圓表面。
全鏈路金屬離子控制:所有與產水接觸的管路、罐體、閥件均采用衛(wèi)生級316L不銹鋼,接頭采用衛(wèi)生級快裝設計,避免普通碳鋼、PVC材質析出金屬離子,所有出水金屬離子雜質均控制在1ppt以下,制程半導體生產要求。
2. 穩(wěn)定出水,適配半導體生產連續(xù)運行要求
設備采用模塊化設計,核心部件均采用進口品牌,包括美國陶氏/海德能反滲透膜、美國進口EDI模塊、羅門哈斯拋光樹脂,保障設備長期運行穩(wěn)定性;設置水箱液位連鎖控制、產水水質在線監(jiān)測功能,當水質不達標時自動回流重新處理,避免不合格水進入生產環(huán)節(jié);設備可實現(xiàn)24小時連續(xù)穩(wěn)定產水,滿足半導體工廠連續(xù)生產的需求,出水電阻率波動控制在±0.1MΩ·cm以內,水質穩(wěn)定性遠高于普通超純水設備。
3. 緊湊模塊化設計,適配中小型場地布局
針對中小型半導體車間、研發(fā)中試線場地有限的特點,0.5噸/H半導體超純水設備采用集成模塊化設計,將預處理、反滲透、EDI、精處理單元整合在一體式機架上,整機占地僅約8平方米,不需要大型土建基礎即可安裝,可靈活布置在車間角落或潔凈廠房內,大大降低了場地改造成本。
4. 智能管控,滿足半導體生產追溯要求
設備采用PLC+觸摸屏全自動控制系統(tǒng),所有關鍵指標(進水壓力、產水電阻率、TOC、電導率、流量)均實現(xiàn)實時在線監(jiān)測,數(shù)據(jù)可存儲1年以上,支持導出打印,滿足半導體工廠對生產公用工程數(shù)據(jù)追溯的要求;設置自動清洗、自動報警功能,當反滲透膜結垢、濾芯需要更換時自動提示,支持遠程故障診斷,降低運維管理難度;還可對接工廠MES系統(tǒng),實現(xiàn)全廠公用工程統(tǒng)一管控。
5. 低運行成本,節(jié)能環(huán)保
相較于傳統(tǒng)全混床工藝,該設備采用RO+EDI的主體工藝,不需要頻繁酸堿再生,減少了化學藥劑消耗與廢水排放,運行成本降低約40%;設備配備變頻高壓泵,可根據(jù)產水需求自動調節(jié)功率,降低無用能耗,單位產水能耗僅約0.8kWh/噸,長期生產可有效降低運行成本。
四、配套服務與合規(guī)支持
這款孝感市半導體專用0.5噸/H超純水設備出廠前已完成整機水質測試與性能調試,到場后7個工作日即可完成安裝調試投入運行;廠商可提供全套合規(guī)驗證文件,包含設計確認、安裝確認、運行確認、性能驗證文件,出水水質可提供第三方檢測報告,滿足半導體工廠合規(guī)審核要求;同時提供從原水水質檢測、工藝設計、安裝調試、人員培訓、定期維護、濾芯耗材更換在內的全流程服務,可根據(jù)生產擴產需求預留升級空間,是中小型半導體生產研發(fā)企業(yè)的可靠超純水解決方案。
整機設計壽命15年,核心膜組件使用壽命可達3-5年,正常運維下可長期穩(wěn)定保障出水水質,滿足半導體生產對公用工程可靠性的要求。
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