一、應(yīng)用領(lǐng)域

　　該設(shè)備用于通過磁控濺射法沉積金屬薄膜、陶瓷膜、介質(zhì)膜等，用戶可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

　　二、性能參數(shù)

　　鍍膜室：

　　1. 有效尺寸約Φ500×550，極限真空：5×10^-5Pa;

　　2. 磁控靶： 3″ 4只，直流射頻兼容，靶基距、角度可調(diào);配電(氣)動(dòng)擋板;

　　3. 基片尺寸4″，可實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)、升降;

　　4. 加熱溫度600℃，控溫精度±1度;

　　5. 樣品臺(tái)公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速：2-20rpm可調(diào);

　　6. 偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)可選;

　　預(yù)備室：

　　1. 有效尺寸約Φ300×350;極限真空：5×10^-4Pa;

　　2. 腔體具有自加熱烘烤除氣功能;

　　3. 對(duì)基片離子濺射清洗功能;

　　4. 配置基片庫，可一次裝卡4片基片;

　　5. 磁力取樣桿傳遞基片;