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通用磁控濺射鍍膜機(jī)

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更新時(shí)間:2024-05-30 11:03:43瀏覽次數(shù):280

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磁控濺射鍍膜機(jī)是應(yīng)用泛的PVD沉積設(shè)備,可用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系。可鍍各種硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學(xué)反應(yīng)膜,亦可鍍鐵磁材料。該設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備光學(xué)膜層,電學(xué),光電膜層及其它功能膜層,以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于大專院校及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)。

詳細(xì)介紹

  一、應(yīng)用領(lǐng)域

  磁控濺射鍍膜機(jī)是應(yīng)用泛的PVD沉積設(shè)備,可用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系??慑兏鞣N硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學(xué)反應(yīng)膜,亦可鍍鐵磁材料。該設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備光學(xué)膜層,電學(xué),光電膜層及其它功能膜層,以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于大專院校及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)。

  二、性能參數(shù):

  1. 極限真空壓力:5×10-5Pa;

  2. 磁控靶:直徑Φ50-Φ150;數(shù)量:2-4只;

  3. 靶單位面積功率:(W/cm2)5~20;

  4. 靶電源功率(W):DC500-5000W,RF500-1000W;

  5. 基片加熱溫度:0~500℃可控;

  6. 恢復(fù)真空抽氣時(shí)間(分):從大氣至5×10-4Pa<30min;

  7. 工藝氣體:MFC 1-4路;

  8. 樣品架:公轉(zhuǎn)或公自轉(zhuǎn);

  9. 其它配置:偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)、磁控靶電(氣)動(dòng)擋板可選;

或

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