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PLUTO-ATMOS 常壓等離子涂覆鍍膜系統(tǒng)

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更新時間:2025-07-27 09:22:00瀏覽次數(shù):152

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產品簡介

Pluto-Atmos是一種基于頻率為13.56MHz(射頻)等離子體技術的新型表面涂覆設備。是一種*的新涂層工藝,利用大氣壓等離子體設備在任何大小或形狀的樣品上通過掃描的方式獲得均勻的涂層。Pluto-Atmos可以沉積多種材料涂層,包括碳基和硅基聚合物、玻璃、氮化硅、金屬氮化物和碳化物等。

詳細介紹

產品特點

Pluto-Atmos是一種基于頻率為13.56MHz(射頻)等離子體技術的新型表面涂覆設備。

是一種*的新涂層工藝,利用大氣壓等離子體設備在任何大小或形狀的樣品上通過掃描的方式獲得均勻的涂層。


Pluto-Atmos可以沉積多種材料涂層,包括碳基和硅基聚合物、玻璃、氮化硅、金屬氮化物和碳化物等。

這些涂層的厚度從50nm到3.0um不等,可用于防潮,耐磨、防腐蝕和許多其他應用。

等離子體中的電子(不是熱量)激發(fā)反應物進行沉積,使涂層過程在相對較低的溫度下進行。

薄膜生長速率從0.1um/分鐘到10.0um/分鐘不等。


需要注意的是,常壓等離子體涂覆的速率比物理氣相沉積要慢。

然而,正因為許多材料不易蒸發(fā)或濺射,在這個時候,等離子涂層是一個比較理想的方法。


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技術參數(shù)

1.頻率:13.56MHz 射頻發(fā)生器 功率0~500W 自動阻抗匹配電源

2.噴頭直徑40mm,有效工作面積:直徑20mm,

3.工作距離2-20mm

4.氣源壓力:2mp

5.控制:PLC+




應用領域

使用Pluto-Atmos等離子涂層的設備可以沉積許多不同的材料,通過選擇合適的活性氣體,如氧氣、氮氣、氫氣等,和合適的反應前驅體,如SiL4, AlL3, TiL4 PtL6(L表示是一個穩(wěn)定且有揮發(fā)性分子基團),可以得到適合的沉積物。

如果想要沉積較薄的聚合物的薄膜,可以使用一個特別設計的單體,如四甲基硅烷。

具體的需求,需要大量的實驗來優(yōu)化設計和工藝條件。

我們可以幫助客戶在我們的實驗室里,一起確定具體的涂料所需的工藝條件。


Pluto-Atmos涂覆系統(tǒng)為薄膜涂層提供了一種革命性的新方法。

某些新材料過去只能在昂貴的真空系統(tǒng)中生產,現(xiàn)在可以用低成本的手持等離子設備涂覆在幾乎任何結構上。



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