詳細(xì)介紹
功能特點(diǎn):
在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電,在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜,副產(chǎn)物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD)
產(chǎn)品用途:
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成,是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用
產(chǎn)品參數(shù)
在真空壓力下,加在電感線圈的射頻電場,使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電,在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量,其本身溫度很高,它與氣體分子相碰撞,使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜,副產(chǎn)物從襯底上解吸,隨主氣流由真空泵抽走,稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD)
產(chǎn)品用途:
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成,是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用
產(chǎn)品參數(shù)
- 控溫方式:采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù),具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能,并可編制30段升降溫程序。
- 加熱元件:0Cr27Al7Mo2
- 工作電源:AC220V 50Hz/60Hz
- 額定功率:4kw
- 爐管材質(zhì):高純石英管
- 爐管尺寸:Φ60/Φ80*1200mm
- 工作溫度:≤1150℃(可定制)
- 溫度:1200℃(可定制)
- 恒溫精度:±1℃
- 恒溫區(qū):200mm(可定制)
- 升溫速度:≤10℃/min
- 密封方式:不銹鋼快速法蘭擠壓密封
- 極限真空:6.0×10-5Pa
- 工作真空:7.6×10-4Pa
- 產(chǎn)品配置:雙級旋片真空泵+分子泵
- 測量方式:復(fù)合真空計(jì)
- 真空規(guī)管:電阻規(guī)+電離規(guī)
- 冷卻方式:風(fēng)冷
- 抽速:110L/S
- 射頻電源系統(tǒng)
- 射頻功率輸出范圍:5~500W
- 射頻頻率:13.56MHz±0.005%
- 噪聲:≤55DB
- 冷卻方式:風(fēng)冷
- 功率溫定度:± 0.1%
- 混氣系統(tǒng)流量規(guī)格:0-200sccm (可根據(jù)客戶需要配置)
- 線性:±1.5%F.S
- 準(zhǔn)確度:±1.5%F.S
- 重復(fù)精度:±0.2%F.S.
- 響應(yīng)時(shí)間:≤8sec
- 耐壓:3MPa
- 氣路通道:4通道(根據(jù)客戶需求)
- 針閥:316不銹鋼
- 管道:Φ6mm不銹鋼管
- 接口:SwagelokΦ6mm
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