一、設備技術指標

1.1設備名稱：高溫反偏試驗系統(tǒng)

1.2設備型號：AS-HTRB-B16

1.3內(nèi)箱尺寸：600 X 600 X 600 mm (W×H × D)

箱體尺寸：1360×1815×1320 mm (W×H ×D)

內(nèi)箱容積 :216L

1.4試驗箱溫度范圍：RT+10～+200℃

建議測試溫度范圍：RT+10～+175℃

溫度均勻性：±2℃,≤175℃時；

溫度偏差：±1.5℃ ≤125℃時；±2℃ ≤175℃時；

帶可程序設計計時控制開關裝置，雙重超溫保護功能。

1.5制熱與溫度循環(huán)系統(tǒng)：

加熱裝置：長壽命鎳鉻合金電熱絲式加熱器

加熱方式：無觸點等周期脈沖調(diào)寬，平衡式調(diào)溫 P.I.D + P.W.M + S.S.R

導風板設計：可調(diào)式導風板設計,有效提升溫分布均勻性.

循環(huán)裝置：采用防潮兼散熱設計,不銹鋼加長軸心回圈馬達

循環(huán)風輪：耐高低溫鋁合金多翼式回圈扇輪

出風循環(huán)：風循環(huán)方向可根據(jù)模塊的擺放方向設計，以保證試樣處于溫濕度均勻區(qū)

二、試驗能力及電源

2.1試驗能力:電壓2000V，建議試驗溫度175℃。

2.2通道分區(qū)：16個老化試驗通道，8個獨立直流電源。每個電源對應2個試驗通道，整機共可同時試驗8個不同規(guī)格的器件。

2.3滿載容量:80顆/每通道×16通道＝1280顆。（數(shù)量）

2.4插板骨架材料：304不銹鋼板材料，高溫下長時間工作不生銹。

2.5使用范圍: 各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR進行高溫反偏試驗（HTRB）

2.6試驗目的：評估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率，剔除有隱患的器件或剔除有制造缺陷的器件（剔除早期失效的器件）

2.7測試使用標準: GB/T 15291-1994 6.2;JESD22-A108C。

2.8試驗線路及試驗方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101相關標準要求。

三、結構特征

3.1 箱體材質(zhì)：測試區(qū)內(nèi)箱SUS#304不銹鋼板,外箱粉體烤漆

3.2 保溫材質(zhì)：保溫絕緣層耐燃防火 PU ＋ 隔熱。

3.3 箱 門：全開單翼型，帶有雙層硅橡膠密封和門鎖。

3.4 老化板：聚酰亞胺（Polymide）板材，Tg260℃。

3.5移動腳輪：強力螺栓固定位置支撐腳4個，移動調(diào)整輪4個(500Kg /輪 )移動試驗箱用

四、電源方案:

電源方案:16個老化試驗通道，8組獨立電源，電源規(guī)格：（電源規(guī)格及數(shù)量可選配）

技術詳情信息可我司！