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高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)H3TRB

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更新時間:2025-05-04 08:46:05瀏覽次數(shù):544

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產(chǎn)品簡介

高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)H3TRB 高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)(H3TRB)用于功率半導體器件的環(huán)境老化試驗,比如 Si/SiC/GaN 材料的IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的高溫,高濕,偏壓條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進程,同時可附帶評價器件外觀的寢蝕試驗。 ......

詳細介紹

產(chǎn)品型號AS-H3TRB-C8AS-H3TRB-C16AS-H3TRB-H8
箱體尺寸
試驗箱內(nèi)容積升(L)408408408
內(nèi)箱尺寸
(mm)
寬(W)600600600
高(H)800800800
深(D)850850850
外箱尺寸
(mm)
寬(W)200020002000
高(H)191501915019150
深(D)118011801180
技術(shù)參數(shù)
適用器件全橋、SCR、三極管、場效應(yīng)管等IGBT/DIODE/MOSFET/BJT/SCR 等器件
試驗箱溫度范圍 -20~150℃-70~180℃
試驗通道8個 16個8個
電源數(shù)量根據(jù)客戶需求提供≤8臺
試驗電源≤300V≤6000V
老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。
供水方式手動和自動補水
水質(zhì)要求純水




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