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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>儀器儀表>>數(shù)字源表>> S100B基于S系列源表的集成電路教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
產(chǎn)品型號(hào)S100B
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2026-08-20 14:41:31瀏覽次數(shù):100次
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高精度臺(tái)式源精密數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)老品牌
| 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 產(chǎn)品新舊 | 全新 |
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基于S系列源表的集成電路教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)采用一體化設(shè)計(jì),集成了數(shù)字源表、LCR電橋、萬(wàn)用表、示波器等通用儀表;搭配豐富的測(cè)試夾具及實(shí)驗(yàn)教材,滿(mǎn)足基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)教學(xué)需求;測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)單易用,接線簡(jiǎn)單,方便學(xué)生動(dòng)手操作;

應(yīng)用領(lǐng)域:
分立器件
■MOSFET/BJT靜態(tài)特性參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■MOSFET/BJT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■MOSFET開(kāi)關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■MOSFET電容特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■整流二極管性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■光耦特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■激光器LⅣ特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■三極管放大特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體材料
■材料霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■材料電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■材料漏電流測(cè)試實(shí)驗(yàn)
IC類(lèi)
■集成基準(zhǔn)電壓源性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■壓控振蕩器測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■邏輯IC功能和參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
■集成運(yùn)放特性參數(shù)實(shí)驗(yàn)
■邏輯芯片I/O口特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
平臺(tái)特色:
基于高精度通用儀表的微電子綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái),提供多種實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)境;
采用一體化設(shè)計(jì),集成了數(shù)字源表、LCR電橋、萬(wàn)用表、示波器等通用儀表;
貼合集成電路測(cè)試相關(guān)實(shí)驗(yàn)案例,支撐集成電路相關(guān)課程資源和理論教學(xué);
全國(guó)產(chǎn)化儀表,符合當(dāng)前國(guó)家政策,進(jìn)口儀表有禁運(yùn)風(fēng)險(xiǎn);
搭配豐富的測(cè)試夾具及實(shí)驗(yàn)教材,滿(mǎn)足基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)教學(xué)需求;
測(cè)試器件采用STO封裝,即插即用,方便更換;
測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)單易用,接線簡(jiǎn)單,方便學(xué)生動(dòng)手操作;
以基礎(chǔ)平臺(tái)為起點(diǎn),可逐步升級(jí),滿(mǎn)足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試需求;
輔助老師編寫(xiě)教案,提高教學(xué)效率,降低課程開(kāi)發(fā)的難度;

欲了解更多基于S系列源表的集成電路教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)信息,歡迎隨時(shí)上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢(xún);普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、插卡式源表、脈沖恒流源、高壓程控電源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。
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