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武漢普賽斯儀表有限公司
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當前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>儀器儀表>>igbt靜態(tài)參數(shù)測試機>> PMST3520igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀

igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀

參   考   價: ¥ 1000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號PMST3520

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

更新時間:2026-04-16 14:01:58瀏覽次數(shù):237次

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產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
武漢普賽斯PMST系列igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀覆蓋IV,CV,跨導等豐富測試功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒壓限流,恒流限壓模式,可定制化夾具,用于晶圓,芯片,器件,模塊及IPM全面測試

igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀特點和優(yōu)勢:


單臺Z大3500V輸出;


單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;


15us的超快電流上升沿;


同步測量;


國標全指標的自動化測試;


可定制夾具;


納安級電流和uΩ級電阻測量;

igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀

系統(tǒng)簡介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計測試方法    靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。


系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計,測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率蕞高支持1MHz。

 

系統(tǒng)特點

高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);  
大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
配置導出:支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
數(shù)據(jù)預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導出;
模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);


測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。

igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀


測試項目

二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、電流傳輸比CTR、隔離電容CIO

igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀

更多有關(guān)igbt模塊測試設(shè)備igbt靜態(tài)檢測儀詳情找普賽斯儀表專員為您解答,普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設(shè)備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景



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