半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)，普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可以測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

系統(tǒng)特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
 
單臺(tái)Z大3500V輸出；
 
單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大2000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測(cè)量；
 
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

系統(tǒng)指標(biāo)

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 
普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)集多種測(cè)量和分析功能一體，可測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，皮安級(jí)電流測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。