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詳細(xì)介紹
薄膜沉積和電子槍控制裝置
INFICON 市場的薄膜沉積控制器、監(jiān)控器和 QCM 測量儀器憑借的測量速度和精度，可控制最復(fù)雜過程的沉積速率和厚度。利用增強(qiáng)型軟件和邏輯 I/O 的*功能， 可將我們的薄膜沉積控制器/QCM 測量儀器*集成到真空系統(tǒng)，實現(xiàn)自動過程控制。在控制復(fù)雜度較低的過程時，使用 INFICON 經(jīng)濟(jì)實惠的精密控制器、監(jiān)控器和 QCM 測量儀器測量薄膜，測量精度比傳統(tǒng)技術(shù)高出 100 倍。
典型的 QCM 系統(tǒng)包括：石英晶體（傳感設(shè)備）；晶體支架（傳感器），用于固定晶體并提供與晶體的電氣連接；振蕩器（或用于 ModeLock 設(shè)備的 XIU），用于驅(qū)動晶體；以及控制器或監(jiān)控器，用于讀取沉積速率和厚度并存儲過程參數(shù)。INFICON 提供完整的 QCM 系統(tǒng)和為各種研究應(yīng)用而設(shè)計的單獨元件。
在到最復(fù)雜的過程中，INFICON 都能創(chuàng)造最出眾的價值。
沉積控制器
通過沉積控制器，可利用 QCM 傳感器對沉積過程實現(xiàn)速率控制。 INFICON 可按您的要求為您提供具有從最基本到功能的任何沉積控制器。EIES 可在某些 QCM 并非理想選擇的應(yīng)用中作為備選速率/厚度監(jiān)測技術(shù)。
產(chǎn)品
IC6 薄膜沉積控制器
Cygnus 2 薄膜沉積控制器
XTC/3 薄膜沉積控制器
SQC-310 薄膜沉積控制器
IQM-233 薄膜沉積控制器 PCI-Express 卡
Guardian EIES 控制器
沉積監(jiān)控器
沉積監(jiān)控器與沉積控制器相似，但是在無需速率控制或復(fù)雜系統(tǒng)集成的應(yīng)用中使用更加簡便。 INFICON 沉積監(jiān)控器可通過簡便易用的方式為您提供 INFICON 值得信賴且業(yè)界的質(zhì)量。產(chǎn)品
SQM-160 薄膜沉積監(jiān)控器
STM-2XM 雙通道速率/厚度監(jiān)測儀
STM-2 USB 薄膜速率/厚度監(jiān)測儀
電子槍控制裝置
INFICON 作為 QCM 技術(shù)者，現(xiàn)在提供電子槍控制設(shè)備，包括掃頻控制器、坩堝指數(shù)儀、源控制器和高壓電源。產(chǎn)品
帶集成源控制的 HVPS/SC 高壓電源
EBS-530 電子束掃頻控制器
CI-100 坩堝指數(shù)儀
石英晶體傳感器和饋入件
傳感器容納和冷卻石英晶體，并構(gòu)成晶體與饋入件之間的電氣連接。 INFICON 傳感器具有各種配置，并可采用傳感器/饋入件組合的形式用作完整定制解決方案！產(chǎn)品
前裝式單傳感器
前裝式雙傳感器
炫酷抽屜單傳感器
炫酷抽屜雙傳感器
UHV 可烘烤傳感器
ALD 探頭
濺射傳感器
CrystalSix 傳感器
Crystal 12 傳感器
RSH-600 旋轉(zhuǎn)式傳感器
QCM 傳感器饋入件
用于真空應(yīng)用的石英監(jiān)控器晶體
石英晶體是 QCM 系統(tǒng)中的速率和厚度傳感元件。這些晶體用于所有標(biāo)準(zhǔn) INFICON 監(jiān)控器或控制器以及 INFICON（或其他制造商的）單、雙或多晶體傳感器的真空應(yīng)用。INFICON 推出各種晶體和包裝，可隨時為您提供所需的晶體。
產(chǎn)品
石英監(jiān)控器晶體
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