惰性氣體氧氣氫氣純化器9NP系列高性能氣體凈化器采用常溫催化技術(shù)，通過化學反應和物理吸附相結(jié)合，在常溫下將工藝氣體中的H2O、O2、CO、CO2、H2、NMHC等雜質(zhì)去除至1ppb以下。此外，316L不銹鋼內(nèi)膽內(nèi)置過濾精度為0.003微米的顆粒過濾器，內(nèi)表面經(jīng)過電化學拋光處理。

惰性氣體氧氣氫氣純化器

9NP系列高性能氣體凈化器采用常溫催化技術(shù)，通過化學反應和物理吸附相結(jié)合，在常溫下將工藝氣體中的H2O、O2、CO、CO2、H2、NMHC等雜質(zhì)去除至1ppb以下。此外，316L不銹鋼內(nèi)膽內(nèi)置過濾精度為0.003微米的顆粒過濾器，內(nèi)表面經(jīng)過電化學拋光處理。主要用于氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣的凈化，可以大大去除氣體中含有的氧氣、氮氣、氫氣、二氧化碳、碳氧化物、碳氫化合物、水等雜質(zhì)。為ICP-MS、ICP-MS、原子吸收光譜、氣相色譜、液相色譜、GC-MS等提供高純度惰性氣體。以確保良好的惰性氣氛。

惰性氣體氧氣氫氣純化器產(chǎn)品特性

常溫下流量范圍1-2000slm的出口氣體雜質(zhì)含量小于1ppb，內(nèi)置0.003微米316L SS過濾器的316L SS EP凈化罐99%氦檢漏，可配置二閥、三閥、四閥等閥門組件，可原廠認證回收CE。使用成本低。

惰性氣體氧氣氫氣純化器純化指標

氣體類型*	可純化氣體*	去除雜質(zhì)	純化指標
惰性氣體-I	N2, Ar, He, Xe, Ne, Kr	H2O, O2, CO, CO2, H2, NMHC	<1ppb
氧氣-O	O2, CDA	H2O, CO2, NMHC
氫氣-H	H2 H2與惰性氣體混合氣	H2O, O2, CO, CO2, NMHC

*表格中僅列出典型的氣體類型和常見的可純化氣體，更多氣體純化應用請與埃登威聯(lián)系。

惰性氣體氧氣氫氣純化器型號說明

產(chǎn)品型號	常規(guī)流量 (slm)	*大壓力 (MPa)	*大壓差 (MPa)	顆粒過濾器 (μm)	進/出氣口接頭	進出氣口距離 L	純化器外徑 D
9NP001	1	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	3.3” (84mm)	1.5” (38.1mm)
9NP003	3	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	4.5” (114mm)	1.5” (38.1mm)
9NP005	5	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	5” (127mm)	1.5” (38.1mm)
9NP030	30	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	6.3” (160mm)	2” (50.8mm)
9NP050	50	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	7.9” (202mm)	3” (76.2mm)
9NP300	300	1.0	0.1	0.003	1/4” MVCR	17.3” (440mm)	4” (101.6mm)
9NP300-8L	500	1.0	0.1	0.003	1/2” MVCR	20.0” (508mm)	4” (101.6mm)
9NP999	1000	1.0	0.1	0.003	1/2” FVCR 1/2” MVCR	28.2” (716mm)	6” (152.4mm)
9NP1999S	2000	1.0	0.1	0.003	3/4” MVCR	50.8” (1290mm)	6” (152.4mm)

表格中僅列出標準流量、指標和配置，更多特殊要求請與埃登威聯(lián)系。

惰性氣體氧氣氫氣純化器產(chǎn)品應用

集成電路制造 半導體分立器件制造 硅片、襯底、外延片生產(chǎn) LED、激光器制造 高效太陽能電池生產(chǎn) 光纖預制棒生產(chǎn) 眾多半導體工藝設備配套 超高純氣體、混合氣體和標準氣體生產(chǎn) 吹掃氣體、載氣及零點氣體純化 大學和研究所等科研機構(gòu)產(chǎn)品研發(fā)

氫氣凈化裝置的工作原理:采用非蒸散性鋯鋁合金16吸氣劑作為凈化劑。吸氣劑主要由Zr5AL4、Zr5AL3、Zr3AL2、Zr2AL等金屬間化合物組成。它具有高活性和低擴散活化能。氣體吸附在表面時，在一定溫度下會很容易擴散到體內(nèi)，具有吸雜率高、吸雜量大的特點?；罨螅茉?佳吸氣溫度范圍內(nèi)有效吸收O2、N2、CO2、CO、H2、CH4和水。