一、設備技術指標

1.1設備名稱：高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)

1.2設備型號：AS-H3TRB-C16

1.3內箱尺寸：600 ×850×800 mm (W×H×D)

外箱尺寸：1265×1720×1090 mm (W×H×D)

監(jiān)控柜：700×1810×1200 mm (W×H×D)

內箱容積 :408L

1.4 溫度范圍：-20℃～+180℃

濕度范圍：10%～98%R.H

1.5 升溫速率：-20℃～+180℃：≥3℃/min（全程平均）

降溫速率：+180℃～-20℃：≥1℃/min（全程平均）

1.6 溫度波動度：≤±0.5℃

濕度波動度：≤±3%RH

1.7 溫度均勻度：≤2.0℃

濕度均勻度：≥75%RH時 均勻度≤±3%RH

≤75%RH時 均勻度≤±5%RH

1.8溫度偏差: ≤±2.0℃

二、試驗能力及電源

2.1試驗能力:電壓1500V，建議試驗溫度175℃。

2.2通道分區(qū)：16個老化試驗通道，8個獨立直流電源。每個電源對應2個試驗通道，整機共可同時試驗8個不同規(guī)格的器件。

2.3滿載容量:40顆/每通道×16通道＝640顆。（數(shù)量）

2.4插板骨架材料：304不銹鋼板材料，高溫下長時間工作不生銹。

2.5使用范圍: 各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR進行高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

2.6試驗目的：評估器件在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕。

2.7測試使用標準: GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5；GB/T 2423.3-2006；JESD22-A101C。

2.8試驗線路及試驗方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101 、GJB128A相關標準要求。

三、結構特征

3.1 內箱材質：SUS304#不銹鋼板T=1.2mm，附加整體結構加固。

3.2 外箱材質：雙面鍍鋅鋼板T=1.5mm，表面粉體噴涂處理。

3.3 保溫材質：保溫絕緣層耐燃防火 PU ＋ 隔熱(保溫層厚 100 mm)。

3.4 防汗機件：以冷凍系統(tǒng)高溫回路及薄膜式電熱防止?jié)駳獾哪痘蚪Y霜。

3.5 箱 門：全開單翼型附加玻璃觀測窗，帶有雙層硅橡膠密封和門鎖。

3.6 觀測窗口：四層真空玻璃隔熱窗，觀察試品使用,附加13w飛利浦節(jié)能照明燈

3.7 測 試 孔：可外接測試電源線及信號用 ( φ100mm一個)

3.8 置 物 架：可活動調整柵盤架與SUS304#不銹鋼條狀柵盤二只(盤架每間格 5.0 cm)

3.9 移動腳輪：采滑輪移動調整擺放位置與強力螺栓固定位置(200Kg / 輪 )

3.10老化板：聚酰亞胺（Polymide）板材，Tg260℃；表面噴涂三防漆。

四、電源方案:

電源方案:16個老化試驗通道，8組直流電源，電源規(guī)格如下：（電源規(guī)格及數(shù)量可選配）