一、設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

1.1設(shè)備名稱：高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

1.2設(shè)備型號(hào)：AS-H3TRB-C16

1.3內(nèi)箱尺寸：600 ×850×800 mm (W×H×D)

外箱尺寸：1265×1720×1090 mm (W×H×D)

監(jiān)控柜：700×1810×1200 mm (W×H×D)

內(nèi)箱容積 :408L

1.4 溫度范圍：-20℃～+180℃

濕度范圍：10%～98%R.H

1.5 升溫速率：-20℃～+180℃：≥3℃/min（全程平均）

降溫速率：+180℃～-20℃：≥1℃/min（全程平均）

1.6 溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃

濕度波動(dòng)度：≤±3%RH

1.7 溫度均勻度：≤2.0℃

濕度均勻度：≥75%RH時(shí) 均勻度≤±3%RH

≤75%RH時(shí) 均勻度≤±5%RH

1.8溫度偏差: ≤±2.0℃

二、試驗(yàn)?zāi)芰半娫?/span>

2.1試驗(yàn)?zāi)芰?電壓1500V，建議試驗(yàn)溫度175℃。

2.2通道分區(qū)：16個(gè)老化試驗(yàn)通道，8個(gè)獨(dú)立直流電源。每個(gè)電源對(duì)應(yīng)2個(gè)試驗(yàn)通道，整機(jī)共可同時(shí)試驗(yàn)8個(gè)不同規(guī)格的器件。

2.3滿載容量:40顆/每通道×16通道＝640顆。（數(shù)量）

2.4插板骨架材料：304不銹鋼板材料，高溫下長時(shí)間工作不生銹。

2.5使用范圍: 各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）

2.6試驗(yàn)?zāi)康模涸u(píng)估器件在高溫，高濕，偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力，加速其失效進(jìn)程，同時(shí)可附帶評(píng)價(jià)器件外觀的寢蝕。

2.7測試使用標(biāo)準(zhǔn): GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5；GB/T 2423.3-2006；JESD22-A101C。

2.8試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101 、GJB128A相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

三、結(jié)構(gòu)特征

3.1 內(nèi)箱材質(zhì)：SUS304#不銹鋼板T=1.2mm，附加整體結(jié)構(gòu)加固。

3.2 外箱材質(zhì)：雙面鍍鋅鋼板T=1.5mm，表面粉體噴涂處理。

3.3 保溫材質(zhì)：保溫絕緣層耐燃防火 PU ＋ 隔熱(保溫層厚 100 mm)。

3.4 防汗機(jī)件：以冷凍系統(tǒng)高溫回路及薄膜式電熱防止?jié)駳獾哪痘蚪Y(jié)霜。

3.5 箱 門：全開單翼型附加玻璃觀測窗，帶有雙層硅橡膠密封和門鎖。

3.6 觀測窗口：四層真空玻璃隔熱窗，觀察試品使用,附加13w飛利浦節(jié)能照明燈

3.7 測 試 孔：可外接測試電源線及信號(hào)用 ( φ100mm一個(gè))

3.8 置 物 架：可活動(dòng)調(diào)整柵盤架與SUS304#不銹鋼條狀柵盤二只(盤架每間格 5.0 cm)

3.9 移動(dòng)腳輪：采滑輪移動(dòng)調(diào)整擺放位置與強(qiáng)力螺栓固定位置(200Kg / 輪 )

3.10老化板：聚酰亞胺（Polymide）板材，Tg260℃；表面噴涂三防漆。

四、電源方案:

電源方案:16個(gè)老化試驗(yàn)通道，8組直流電源，電源規(guī)格如下：（電源規(guī)格及數(shù)量可選配）