AS-H3TRB-H8系列產(chǎn)品主要用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗(yàn)，比如 Si/SiC/GaN 材料的各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR、SiC、GaN器件進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn)。

電源電壓范圍為 0~6500V，可以根據(jù)客戶要求選擇不同電壓等級(jí)電源，滿足了不同產(chǎn)品同時(shí)試驗(yàn)的需求。試驗(yàn)溫度范圍可達(dá)-20~180℃。試驗(yàn)濕度范圍為 10%～98%RH，靈活地支持不同類型的老化試驗(yàn)。最多支持 1280 個(gè)分立器件或72只半橋模塊（上下橋切換），并支持不同封裝的分立器件和模塊組合試驗(yàn)，地利用資源滿足研發(fā)和大批量生產(chǎn)要求。