本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時提供樣品反射率，測量精度達到埃級的分辨率，測量迅速，操作簡單，界面友好，測量時間不到 1 秒。可應用于光阻、半導體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量，在半導體、太陽能、液晶面板和光學行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應用和極大的好評。

反射膜厚儀 HSR-C 技術參數

1、HSR-C 規(guī)格：

1) 基本功能：獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜

2) 光譜分析范圍：380nm-1000nm

3) 測量光斑大小：標準 1.5mm，較小 0.5mm

4) 膜厚重復性測量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復測量）

5) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之間較大者

6) 膜厚測量范圍：15nm-70μm

7) 測量 n 和 k 值厚度要求：100nm 以上

8) 單點測量時間：≤ 1s

9) 光源：標準鹵燈光源

10) 分析軟件：多達數百種的光學材料常數數據庫，并支持用戶自定義光學材料庫；提供多層各向同性光學薄膜建模仿真與分析功能

2、樣品臺規(guī)格：

1) 基板尺寸：更大支持樣件尺寸到 150*150mm(可升級定制不同尺寸樣品臺)

3、測控與分析軟件

1) 光譜測量能力：反射率光譜測量

2) 數據分析能力：膜厚分析能力，光學常數（折射率和消光系數）

3) 支持常用光學常數模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等）；

4) 支持用戶自定義，可離線分析軟件模擬實際測量，支持 Windows 10 操作系統(tǒng)

4、設備驗收標準（按參數規(guī)格測試）

1) 光譜分析波段：380~1000nm

2) 測量光斑大?。簶藴?1.5mm，較小 0.5mm

3) 膜厚重復性測量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復測量）

4) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之間較大者

5) 膜厚測量范圍：15nm-70μm

5、測控與分析計算機

1) 操作系統(tǒng)：WIN10 64 位

2) CPU 處理器：Intel 酷睿 I5

3) 內存：≥4G

4) 硬盤：≥500G

5) 顯示器：≥19 寸

6、配件

1) 標準 SiO2/Si 標樣

2) 標準安裝工具一套

7、環(huán)境要求

1) 承載臺：尺寸>1.0m（長）×0.7m（寬），承載能力大于 20Kg

2) 使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃

3) 相對濕度：35% ~ 60% RH

4) 空氣壓力范圍：750~1014 mbar

5) 潔凈度： Class 1000

8、能源要求

1) 供電電源電壓：220V AC

2) 正常頻率范圍：49-51Hz

3) 相電流：有效值小于 0.5A（220V AC）

4) 功率：小于 110 W

9、涂裝與表面處理

1) 涂裝顏色：以黑白灰色為主

2) 表面處理：鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等