硅(si)自由空間型帶放大的光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件。其基本工作原理是基于光電效應(yīng),當(dāng)光子照射到探測(cè)器的光敏材料上時(shí),光子的能量被材料中的電子吸收。如果光子能量足夠大,電子就會(huì)從束縛態(tài)躍遷到自由態(tài),從而形成光生載流子(電子-空穴對(duì))。這些光生載流子在電場(chǎng)作用下定向移動(dòng),形成電流或者產(chǎn)生電壓變化,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。

光電探測(cè)器
主要類型
- 光電二極管:
- 這是光電探測(cè)器之一。它具有體積小、響應(yīng)速度快、靈敏度較高等特點(diǎn)。根據(jù)其材料和結(jié)構(gòu)的不同,可以分為普通光電二極管、PIN光電二極管和雪崩光電二極管。
- 普通光電二極管結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,由PN結(jié)組成。PIN光電二極管在P區(qū)和N區(qū)之間增加了一層本征半導(dǎo)體(I層),它可以增加光的吸收區(qū)域,減少載流子的復(fù)合概率,從而提高了靈敏度和響應(yīng)速度。雪崩光電二極管則是利用了雪崩倍增效應(yīng),當(dāng)光生載流子在高電場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)時(shí),會(huì)碰撞電離產(chǎn)生更多的載流子,從而使光電流得到倍增,它適用于檢測(cè)微弱光信號(hào)。
- 光電倍增管:
- 光電倍增管是一種高靈敏度的光電探測(cè)器。它主要由光電陰極、倍增極和陽(yáng)極組成。當(dāng)光子照射到光電陰極時(shí),光電陰極發(fā)射出光電子,這些光電子在電場(chǎng)作用下加速飛向倍增極。倍增極表面涂有二次發(fā)射材料,光電子撞擊倍增極后會(huì)產(chǎn)生更多的二次電子,這些二次電子又會(huì)被下一級(jí)倍增極加速并產(chǎn)生更多的電子,經(jīng)過多個(gè)倍增極的倍增作用,最終在陽(yáng)極收集到大量的電子,形成很強(qiáng)的電流信號(hào)。光電倍增管常用于極微弱光信號(hào)的檢測(cè),如在光譜分析中的熒光檢測(cè)、核輻射檢測(cè)等領(lǐng)域。
- 光電導(dǎo)探測(cè)器:
- 光電導(dǎo)探測(cè)器是基于光電導(dǎo)效應(yīng)工作的。當(dāng)光照在光電導(dǎo)材料上時(shí),材料的電導(dǎo)率會(huì)發(fā)生變化。這是因?yàn)楣馍d流子增加了材料內(nèi)部的載流子濃度,從而改變了材料的電阻。通過檢測(cè)材料電阻的變化或者在材料兩端施加電壓來檢測(cè)電流的變化,就可以得到光信號(hào)。常見的光電導(dǎo)材料有硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)等。光電導(dǎo)探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低,在一些對(duì)響應(yīng)速度要求不高的可見光和紅外光檢測(cè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
性能指標(biāo)
- 響應(yīng)度:它表示光電探測(cè)器對(duì)光信號(hào)的敏感程度,定義為單位光功率照射下產(chǎn)生的光電流(或光電壓)大小。響應(yīng)度越高,探測(cè)器在相同光功率下產(chǎn)生的電信號(hào)越強(qiáng)。例如,一個(gè)響應(yīng)度為1A/W的探測(cè)器,在1W光功率照射下,會(huì)產(chǎn)生1A的光電流。
- 響應(yīng)速度:是指光電探測(cè)器對(duì)光信號(hào)變化的快速響應(yīng)能力,通常用上升時(shí)間和下降時(shí)間來衡量。上升時(shí)間是指光信號(hào)從10%上升到90%峰值所需的時(shí)間,下降時(shí)間是指光信號(hào)從90%下降到10%峰值所需的時(shí)間。在高速光通信等領(lǐng)域,需要響應(yīng)速度快的光電探測(cè)器來準(zhǔn)確接收和處理快速變化的光信號(hào)。
- 探測(cè)率:用于衡量光電探測(cè)器探測(cè)微弱光信號(hào)的能力。它與探測(cè)器的噪聲等效功率(NEP)有關(guān),探測(cè)率越高,探測(cè)器對(duì)微弱光信號(hào)越敏感。噪聲等效功率是指探測(cè)器產(chǎn)生的噪聲信號(hào)等效于單位光功率產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)的光功率大小。
- 光譜響應(yīng)范圍:指光電探測(cè)器能夠有效響應(yīng)的光的波長(zhǎng)范圍。不同類型的探測(cè)器由于材料和結(jié)構(gòu)的不同,具有不同的光譜響應(yīng)范圍。例如,硅光電二極管的光譜響應(yīng)范圍主要在可見光和近紅外光區(qū)域,而硫化鉛(PbS)光電導(dǎo)探測(cè)器則對(duì)紅外光比較敏感。
應(yīng)用領(lǐng)域
- 光通信領(lǐng)域:光電探測(cè)器是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件。在光纖通信中,光信號(hào)經(jīng)過長(zhǎng)距離傳輸后到達(dá)接收端,光電探測(cè)器負(fù)責(zé)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),以便后續(xù)的信號(hào)處理和數(shù)據(jù)恢復(fù)。例如,在高速率的100Gbps或更高速率的光通信鏈路中,需要使用響應(yīng)速度快、靈敏度高的光電探測(cè)器,如PIN光電二極管或雪崩光電二極管,來準(zhǔn)確接收光信號(hào)并減少信號(hào)傳輸過程中的誤碼率。
- 光譜分析:在光譜儀等儀器中,光電探測(cè)器用于檢測(cè)經(jīng)過色散后的不同波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度。通過對(duì)光譜中各波長(zhǎng)光強(qiáng)的測(cè)量,可以分析物質(zhì)的成分、結(jié)構(gòu)等信息。例如,在拉曼光譜分析中,光電探測(cè)器可以檢測(cè)拉曼散射光的強(qiáng)度和波長(zhǎng)分布,從而確定樣品中分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)信息,用于化學(xué)物質(zhì)的鑒定和結(jié)構(gòu)分析。
- 環(huán)境監(jiān)測(cè)與成像:在環(huán)境監(jiān)測(cè)方面,光電探測(cè)器可以用于檢測(cè)大氣中的光輻射強(qiáng)度,如紫外線強(qiáng)度監(jiān)測(cè)。通過使用對(duì)紫外線敏感的光電探測(cè)器,結(jié)合適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)系統(tǒng),可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大氣中的紫外線指數(shù),為人們的戶外活動(dòng)提供防曬參考。在成像領(lǐng)域,光電探測(cè)器陣列(如CCD和CMOS探測(cè)器)被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)等設(shè)備中,用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像。例如,在數(shù)碼相機(jī)中,光線通過鏡頭聚焦在CMOS探測(cè)器上,探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),經(jīng)過信號(hào)處理后生成數(shù)字照片。
產(chǎn)品說明
硅(si)自由空間型帶放大的光電探測(cè)器, 由硅(si)光電二極管+可調(diào)增益放大器集成封裝而成。光靈敏范圍從紫外到近紅外, 典型光譜范圍覆蓋 190nm~1100nmo PDA 系列帶放大的光電探測(cè)器內(nèi)置低噪聲跨阻放大器(TIA)或低噪聲TIA后接電壓放大器。 本產(chǎn)品信號(hào)系列屬于可調(diào)增益的版本, 具備八個(gè)定量增益檔位, 滿足您不同光強(qiáng)條件下的光電探測(cè)應(yīng)用開發(fā)。
參數(shù)型號(hào)
| 型號(hào) | BOS mount | BOS36A2 | BOS100A2 |
| 機(jī)械尺寸 | |||
| 尺寸 | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) |
| 基礎(chǔ)參數(shù) | |||
| 工作溫度 | 10 ~40 | 10 ~40 | 10 ~40 |
| 儲(chǔ)存溫度 | 20 ~70 | 20 ~70 | 20 ~70 |
| 波長(zhǎng)(nm) | 放大型可調(diào)增益底座, 兼容各種硅(si)光電二極管 | 190nm~1100nm | 320nm~1100nm |
| 供電接口 | LUMBER G RSMV3- FAMALE | LUMBER G RSMV3- FAMALE | LUMBER G RSMV3- FAMALE |
| 支桿接口 | M4X2 | M4X2 | M4X2 |
| 光學(xué)接口 | SM1X1 , SM0.5X1 | SM1X1 , SM0.5X1 | SM1X1 , SM0.5X1 |
| 光敏面深度 | 0.13" (3.3mm) | 0.13" (3.3mm) | 0.13" (3.3mm) |
| 探測(cè)器凈重 | 0.10 kg | 0.10 kg | 0.10 kg |
| 寬帶范圍 | DC~12MHZ | DC~12MHZ | DC~11MHZ |
| 增益 GAIN | Hi-Z 負(fù)載:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω負(fù)載:0.75KV/A~2.38 MV/A | Hi-Z 負(fù)載:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω負(fù)載:0.75KV/A~2.38 MV/A | Hi-Z 負(fù)載:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω負(fù)載:0.75KV/A~2.38 MV/A |
| 信號(hào)幅值 | 0 V~10 V 0-5V | 0 V~10 V 0-5V | 0 V~10 V 0-5V |
| 增益調(diào)節(jié)方式 | 旋鈕檔位式調(diào)節(jié), 0~70dB, 每 10dB一檔, 共88檔。 帶寬與增益成反比。 | 旋鈕檔位式調(diào)節(jié), 0~70dB, 每 10dB一檔, 共88檔。 帶寬與增益成反比。 | 旋鈕檔位式調(diào)節(jié), 0~70dB, 每 10dB一檔, 共88檔。 帶寬與增益成反比。 |
| NEP | NEppd*GAIN | 3.25~75.7pw/HZ1/2 | 2.67~71.7pw/HZ1/2 |
| 有效探測(cè)面積 | 從1mm到48mm各種尺寸探測(cè)器可供選擇 | 13mm2 3.6mmx3.6mm | 75.4mm2 Φ9.8mm |
| 供電電源 | LDS12B(DP), ±12VDC穩(wěn)壓線性電源, 6W, 220VAC (需單獨(dú)購(gòu)買) | LDS12B(DP), ±12VDC穩(wěn)壓線性電源, 6W, 220VAC (需單獨(dú)購(gòu)買) | LDS12B(DP), ±12VDC穩(wěn)壓線性電源, 6W, 220VAC (需單獨(dú)購(gòu)買) |
| 供電開關(guān) | 滑動(dòng)開關(guān) | 滑動(dòng)開關(guān) | 滑動(dòng)開關(guān) |
| 信號(hào)接口 | BNC母座 | BNC母座 | BNC母座 |


























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