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更新時(shí)間

2024/12/9 8:58:01

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硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器產(chǎn)品參數(shù)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件。其基本工作原理是基于光電效應(yīng),當(dāng)光子照射到探測(cè)器的光敏材料上時(shí),光子的能量被材料中的電子吸收。如果光子能量足夠大,電子就會(huì)從束縛態(tài)躍遷到自由態(tài),從而形成光生載流子(電子-空穴對(duì))。這些光生載流子在電場(chǎng)作用下定向移動(dòng),形成電流或者產(chǎn)生電壓變化,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。

硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器詳細(xì)信息

硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件。其基本工作原理是基于光電效應(yīng),當(dāng)光子照射到探測(cè)器的光敏材料上時(shí),光子的能量被材料中的電子吸收。如果光子能量足夠大,電子就會(huì)從束縛態(tài)躍遷到自由態(tài),從而形成光生載流子(電子-空穴對(duì))。這些光生載流子在電場(chǎng)作用下定向移動(dòng),形成電流或者產(chǎn)生電壓變化,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。



硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器

光電探測(cè)器

主要類型

- 光電二極管:

- 這是光電探測(cè)器之一。它具有體積小、響應(yīng)速度快、靈敏度較高等特點(diǎn)。根據(jù)其材料和結(jié)構(gòu)的不同,可以分為普通光電二極管、PIN光電二極管和雪崩光電二極管。

- 普通光電二極管結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,由PN結(jié)組成。PIN光電二極管在P區(qū)和N區(qū)之間增加了一層本征半導(dǎo)體(I層),它可以增加光的吸收區(qū)域,減少載流子的復(fù)合概率,從而提高了靈敏度和響應(yīng)速度。雪崩光電二極管則是利用了雪崩倍增效應(yīng),當(dāng)光生載流子在高電場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)時(shí),會(huì)碰撞電離產(chǎn)生更多的載流子,從而使光電流得到倍增,它適用于檢測(cè)微弱光信號(hào)。

- 光電倍增管:

- 光電倍增管是一種高靈敏度的光電探測(cè)器。它主要由光電陰極、倍增極和陽(yáng)極組成。當(dāng)光子照射到光電陰極時(shí),光電陰極發(fā)射出光電子,這些光電子在電場(chǎng)作用下加速飛向倍增極。倍增極表面涂有二次發(fā)射材料,光電子撞擊倍增極后會(huì)產(chǎn)生更多的二次電子,這些二次電子又會(huì)被下一級(jí)倍增極加速并產(chǎn)生更多的電子,經(jīng)過(guò)多個(gè)倍增極的倍增作用,最終在陽(yáng)極收集到大量的電子,形成很強(qiáng)的電流信號(hào)。光電倍增管常用于極微弱光信號(hào)的檢測(cè),如在光譜分析中的熒光檢測(cè)、核輻射檢測(cè)等領(lǐng)域。

- 光電導(dǎo)探測(cè)器:

- 光電導(dǎo)探測(cè)器是基于光電導(dǎo)效應(yīng)工作的。當(dāng)光照在光電導(dǎo)材料上時(shí),材料的電導(dǎo)率會(huì)發(fā)生變化。這是因?yàn)楣馍d流子增加了材料內(nèi)部的載流子濃度,從而改變了材料的電阻。通過(guò)檢測(cè)材料電阻的變化或者在材料兩端施加電壓來(lái)檢測(cè)電流的變化,就可以得到光信號(hào)。常見(jiàn)的光電導(dǎo)材料有硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)等。光電導(dǎo)探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低,在一些對(duì)響應(yīng)速度要求不高的可見(jiàn)光和紅外光檢測(cè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

性能指標(biāo)

- 響應(yīng)度:它表示光電探測(cè)器對(duì)光信號(hào)的敏感程度,定義為單位光功率照射下產(chǎn)生的光電流(或光電壓)大小。響應(yīng)度越高,探測(cè)器在相同光功率下產(chǎn)生的電信號(hào)越強(qiáng)。例如,一個(gè)響應(yīng)度為1A/W的探測(cè)器,在1W光功率照射下,會(huì)產(chǎn)生1A的光電流。

- 響應(yīng)速度:是指光電探測(cè)器對(duì)光信號(hào)變化的快速響應(yīng)能力,通常用上升時(shí)間和下降時(shí)間來(lái)衡量。上升時(shí)間是指光信號(hào)從10%上升到90%峰值所需的時(shí)間,下降時(shí)間是指光信號(hào)從90%下降到10%峰值所需的時(shí)間。在高速光通信等領(lǐng)域,需要響應(yīng)速度快的光電探測(cè)器來(lái)準(zhǔn)確接收和處理快速變化的光信號(hào)。

- 探測(cè)率:用于衡量光電探測(cè)器探測(cè)微弱光信號(hào)的能力。它與探測(cè)器的噪聲等效功率(NEP)有關(guān),探測(cè)率越高,探測(cè)器對(duì)微弱光信號(hào)越敏感。噪聲等效功率是指探測(cè)器產(chǎn)生的噪聲信號(hào)等效于單位光功率產(chǎn)生的信號(hào)時(shí)的光功率大小。

- 光譜響應(yīng)范圍:指光電探測(cè)器能夠有效響應(yīng)的光的波長(zhǎng)范圍。不同類型的探測(cè)器由于材料和結(jié)構(gòu)的不同,具有不同的光譜響應(yīng)范圍。例如,硅光電二極管的光譜響應(yīng)范圍主要在可見(jiàn)光和近紅外光區(qū)域,而硫化鉛(PbS)光電導(dǎo)探測(cè)器則對(duì)紅外光比較敏感。

應(yīng)用領(lǐng)域

- 光通信領(lǐng)域:光電探測(cè)器是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件。在光纖通信中,光信號(hào)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)距離傳輸后到達(dá)接收端,光電探測(cè)器負(fù)責(zé)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),以便后續(xù)的信號(hào)處理和數(shù)據(jù)恢復(fù)。例如,在高速率的100Gbps或更高速率的光通信鏈路中,需要使用響應(yīng)速度快、靈敏度高的光電探測(cè)器,如PIN光電二極管或雪崩光電二極管,來(lái)準(zhǔn)確接收光信號(hào)并減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的誤碼率。

- 光譜分析:在光譜儀等儀器中,光電探測(cè)器用于檢測(cè)經(jīng)過(guò)色散后的不同波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度。通過(guò)對(duì)光譜中各波長(zhǎng)光強(qiáng)的測(cè)量,可以分析物質(zhì)的成分、結(jié)構(gòu)等信息。例如,在拉曼光譜分析中,光電探測(cè)器可以檢測(cè)拉曼散射光的強(qiáng)度和波長(zhǎng)分布,從而確定樣品中分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)信息,用于化學(xué)物質(zhì)的鑒定和結(jié)構(gòu)分析。

- 環(huán)境監(jiān)測(cè)與成像:在環(huán)境監(jiān)測(cè)方面,光電探測(cè)器可以用于檢測(cè)大氣中的光輻射強(qiáng)度,如紫外線強(qiáng)度監(jiān)測(cè)。通過(guò)使用對(duì)紫外線敏感的光電探測(cè)器,結(jié)合適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)系統(tǒng),可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大氣中的紫外線指數(shù),為人們的戶外活動(dòng)提供防曬參考。在成像領(lǐng)域,光電探測(cè)器陣列(如CCD和CMOS探測(cè)器)被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)等設(shè)備中,用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像。例如,在數(shù)碼相機(jī)中,光線通過(guò)鏡頭聚焦在CMOS探測(cè)器上,探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),經(jīng)過(guò)信號(hào)處理后生成數(shù)字照片。

產(chǎn)品說(shuō)明

硅(si)高速偏壓光電探測(cè)器,  可實(shí)現(xiàn) 2GHZ 帶寬,  上升沿≤150ps 的高速響應(yīng)特性,  特別適合高速激光脈沖或發(fā)光事件的強(qiáng)度 時(shí)間波形測(cè)量,  典型光譜范圍覆蓋400nm~1100nmo

探測(cè)器靶面分為窗口式、透鏡式、FC接口式等多種封裝形式,  適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)型號(hào)
型號(hào)BOS025AFCBOS025ALBOS025A
機(jī)械尺寸
尺寸2.21"x14"x0.8o"(56.1mmx35.6mmx20.3mm)2.21"x14"x0.8o"(56.1mmx35.6mmx20.3mm)2.21"x14"x0.8o"(56.1mmx35.6mmx20.3mm)
基礎(chǔ)參數(shù)
工作溫度0 ~400 ~400 ~40
儲(chǔ)存溫度0 ~400 ~400 ~40
波長(zhǎng)(nm)400~1100nm, 峰值波長(zhǎng)730nm400~1100nm, 峰值波長(zhǎng)730nm400~1100nm, 峰值波長(zhǎng)730nm
光敏面尺寸Φ250um 光敏面特性:內(nèi)嵌耦合透鏡0.059"(1.50mm)Φ250um 光敏面特性:透鏡尺寸0.059"(1.50mm)Φ250um 光敏面特性:平面增透膜
支桿接口M4X1M4X1M4X1
探測(cè)器凈重0.18 kg0.18 kg0.18 kg
NEP9.29x10-15w/HZ1/29.29x10-15w/HZ1/29.29x10-15w/HZ1/2
信號(hào)接口SMA(直流耦合)SMA(直流耦合)SMA(直流耦合)
暗電流35PA35PA35PA
結(jié)電容1.73PF1.73PF1.73PF
偏置電壓12 V12 V12 V
供電電池A23,12VDC,40mAhA23,12VDC,40mAhA23,12VDC,40mAh
輸入耦合方式FC/PC 光纖座球透鏡窗片
峰值響應(yīng)0.46A/W0.46A/W0.46A/W
下降時(shí)間 (@50Ω)150ps(TY P.),@653nm,80/20%150ps(TY P.),@653nm,80/20%150ps(TY P.),@653nm,80/20%
3dB 帶寬 (@50Q)2GHZ2GHZ2GHZ
光損傷閾值18 mw18 mw18 mw
工作阻抗50 Ω50 Ω50 Ω
環(huán)境參數(shù)A23,12VDC,40mAhA23,12VDC,40mAhA23,12VDC,40mAh
























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