| 參考價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品簡介
即時(shí)檢測
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(強(qiáng)酸環(huán)境中)于減薄制程中的厚度變化
●非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測
●采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測再現(xiàn)性
●可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測
●可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測
●可對應(yīng)長工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線或者設(shè)備中
●體積小、省空間、設(shè)備安裝簡易
●可對應(yīng)線上檢測的外部信號觸發(fā)需求
●采用膜厚檢測的獨(dú)自解析演算法。(已取得)
●可自動進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)
規(guī)格式樣
| SF-3 | |
|---|---|
| 膜厚測量范圍 | 0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
| 膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
| 重復(fù)精度 | 0.001% 以下 |
| 測量時(shí)間 | 10msec 以下 |
| 測量光源 | 半導(dǎo)體光源 |
| 測量口徑 | Φ27μm※2 |
| WD | 3 mm ~ 200 mm |
| 測量時(shí)間 | 10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類不同,厚度測量范圍不同
※2 最小Φ6μm
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移動站：分光干涉式晶圓膜厚儀 SF-3
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