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IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

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公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)E300
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/1/30 16:26:53
訪問次數(shù)668

產(chǎn)品標(biāo)簽:

高電壓源測(cè)單元 IGBT器件參數(shù)測(cè)試 IGBT高壓測(cè)試國產(chǎn)源測(cè)單元國產(chǎn)SMU源測(cè)單元

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武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。
普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等(加V了解詳情whpssins)，甜補(bǔ)國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái)，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展為道路，精益求精，堅(jiān)持不懈，努力將自身打造成行業(yè)表?xiàng)U。

展開顯示更多內(nèi)容

源表,數(shù)字源表,脈沖電流源,脈沖源表,VCSEL測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
自動(dòng)化程度	半自動(dòng)	測(cè)試范圍	0~3000V，0~100mA
輸出電壓建立時(shí)間	< 5ms；	輸出接口	KHV（三同軸），支持四線測(cè)量；

IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝

IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品信息

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái)，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

那么IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測(cè)單元

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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