德國Allresist 電子束光刻膠 （e-beam resist）
類型 | 型號 | 特性 |
正膠 | SX AR-P 6200 NEW! | 超高分辨率電子束正膠，通過簡單的工藝即可得到10nm甚至更小的結構。超高深寬比（20:1）、超高對比度（>15）。良好的耐干法刻蝕性能，是傳統(tǒng)PMMA膠的2倍。 *可以取代ZEP膠，經濟實惠，并且采購簡單，包裝規(guī)格多樣化。 |
AR-P617 PMMA/MA共聚物 | 適合目前各種應用需要的電子束光刻膠。靈敏度高，是普通PMMA膠的3~ 4倍，對比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通過雙層工藝實現(xiàn)lift-off工藝。 | |
PMMA | PMMA（polymethyl methacrylate）是電子束曝光工藝中的正性光刻膠，是由單體甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）經聚合反應而成。 PMMA膠最主要的特點是高分辨率、高對比度、低靈敏度。 PMMA膠種類齊全，不同的系列中包含了各種分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各種溶劑（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各種固含量的PMMA膠，以滿足各類電子束光刻的工藝要求。 PMMA膠可用于單層或雙層電子束曝光、轉移碳納米管或石墨烯、絕緣層等多種工藝。 （注：工廠可根據(jù)用戶的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA膠。）
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AR-P 6510 | AR-P 6510是在PMMA的基礎上開發(fā)的厚膠。 另外，廠商可以根據(jù)客戶的具體需求來生產其他分子量的LIGA工藝用膠。主要用于LIGA工藝和X-Ray 曝光工藝。此類光刻膠型號齊全，厚度從10~250μm不等，圖形剖面陡直。 | |
負膠 | AR-N 7520 AR-N 7500 | 電子束負膠，高分辨率（30nm），對比度高（> 5），良好的耐等離子刻蝕性能，可以用于混合曝光。靈敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之間。 |
AR-N 7700 | 電子束負膠，化學放大膠，高靈敏度，高對比度，良好的耐等離子刻蝕刻蝕性能，可以用于混合曝光。 | |
AR-N 7720 | 電子束負膠，用于三維曝光工藝。 化學放大膠，高靈敏度，對比度非常?。?1），非常適合制作三維結構；也可以用于衍射光學及全息器件的加工。 | |
X AR-N 7700/30 SX AR-N 7700/37 | 化學放大負膠，高分辨率，良好的耐等離子刻蝕能力，適合混合曝光。高靈敏度，靈敏度比AR-N 7700更高。 |
配套試劑
（Process chemicals）
類型 | 型號 | 特性 |
顯影液 | AR 300-26, -35 | 紫外光刻膠用 顯影液 |
AR 300-44,-46,-47, -475 | 紫外/電子束光刻膠用 顯影液 | |
AR 600-50,-51,-55,-56 | PMMA膠用 顯影液 | |
定影液 | AR 600-60,-61 | 電子束光刻膠用 定影液 |
除膠劑 | AR 300-70, -72, -73,600-70 | 紫外/電子束光刻膠用 除膠劑 |
稀釋劑 | AR 600-01…09 | PMMA膠 稀釋劑 |
AR 300-12 | 紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑 | |
增附劑 | AR 300-80, HMDS | 紫外/電子束光刻膠用 增附劑 |
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