在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。 

MOS（金屬－氧化物－半導體）結構的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。

另外作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器，既可用于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試，還可測試其它MIS電容。

該儀器由主機和上位機（PC）組成，并在軟件控制下完成校準及測試等功能，同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測元件的數(shù)值，小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率，電容量是五位讀數(shù)，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。

儀器配有測量座，接插元件靈活，方便可靠。

該儀器軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序，程序操作直觀易用。測試程序在計算機與該儀器連接的狀態(tài)下，通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊。
測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。

CV-5000型電容電壓特性測試儀技術指標 ：

測試信號頻率 1.000MHz±0.01%

測試信號電壓小于或等于100mVrms

電容測量范圍 1.000pF～5000.0pF

工作誤差±3.0%±2字

直流偏壓 -35V～+35V(可擴展)，由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓；

軟件功能：由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線。軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，也可把測試 數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析；

電腦通訊接口：USB通訊接口；

應用主要應用于PN結摻雜和MOS摻雜C-V特性測量在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。

供電電流交流電壓：220V±5%；頻率： 50Hz±5%；消耗功率：不大于40W；

工作環(huán)境：溫度：0～40℃；濕度：20%~90%RH 40℃；