ARL 4460 熱電直讀光譜儀主要特點(diǎn)：

穩(wěn)定、可靠的硬件；

工廠校正曲線(xiàn)；

光譜制造技術(shù)；

優(yōu)秀的分析軟件；

分析準(zhǔn)確度更高、分析速度更快；

分析痕量元素和氣體元素具有新的突破；

分析范圍廣泛：適于分析鋼鐵、鋁、銅、鎂、錫、鉛、鋅、純金屬、貴金屬等金屬材料；

對(duì)操作人員無(wú)特殊要求

電流控制光源(CCS)

CCS 為火花發(fā)射光譜分析的樣品采集和激發(fā)過(guò)程提供了準(zhǔn)確、穩(wěn)定、連續(xù)的控制；Thermo通過(guò)對(duì)不同類(lèi)型的金屬材料研究，開(kāi)發(fā)出各種適合不同合金類(lèi)型的激發(fā)條件，從而獲得了的分析靈敏度、精度、和短的分析時(shí)間。在火花放電過(guò)程中， 預(yù)燃電流波形為樣品表面的微熔過(guò)程提供*的“電流密度” ，從而能在極短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到均勻狀態(tài)。積分電流波形： （1）為樣品采集提供重現(xiàn)性*的峰電流； （2）為激發(fā)合金元素和痕量元素提供的平臺(tái)電流。

時(shí)間分析光譜技術(shù)(TRS)

電流波形和每次放電 “時(shí)間窗口” （即光被積分的時(shí)間段） 決定了每個(gè)元素的分析靈敏度。在電流波形中，選擇適當(dāng)?shù)腡RS窗口位置，可以：（1）避開(kāi)放電初始階段產(chǎn)生背景的高峰電流， （2） 確定具有信背比的平臺(tái)電流階段為積分時(shí)間段，從而獲得的靈敏度和精度。另外，由于TRS的*數(shù)據(jù)采集功能，對(duì)某些元素而言，當(dāng)分析波長(zhǎng)和干擾波長(zhǎng)之間存在一定的激發(fā)電勢(shì)差時(shí)可以明顯地改進(jìn)痕量元素的校正曲線(xiàn)擬合的準(zhǔn)確性。

CARL工廠校正曲線(xiàn)

依靠多年積累的標(biāo)樣庫(kù)， 每條曲線(xiàn)均由幾十塊標(biāo)樣建立， 比現(xiàn)場(chǎng)建立的分析曲線(xiàn)有更多的數(shù)據(jù)點(diǎn)。*的校正軟件，不僅可以修正光譜干擾，還可以扣除背景干擾，提高了分析結(jié)果的準(zhǔn)確度，準(zhǔn)確度（相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差）優(yōu)于1％。節(jié)省了用戶(hù)購(gòu)置標(biāo)樣的費(fèi)用。

CCS/TRS的結(jié)合

電流控制光源與時(shí)間分辨光譜技術(shù)的有機(jī)結(jié)合有效地改進(jìn)了光譜分析的各種性能：準(zhǔn)確度、檢測(cè)限、精度和分析時(shí)間。已經(jīng)在工廠按條件預(yù)置的CCS可以只選擇的激發(fā)電流波形，以便大限度地提高靈敏度和精度，并縮短分析時(shí)間。 每次激發(fā)過(guò)程中， TRS只接收對(duì)分析有用的信號(hào)部分，從而能夠改善準(zhǔn)確度、精度和靈敏度。

火花數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)SPARK-DAT(選擇項(xiàng))

傳統(tǒng)的直讀光譜儀只能獲得金屬材料中元素信息。對(duì)于微區(qū)結(jié)構(gòu)及元素間的化合方式通常由掃描電鏡來(lái)完成。搭載單火花數(shù)據(jù)采集處理技術(shù)SPARK-DAT的ARL 4460金屬分析儀不僅可以進(jìn)行元素分析，還可以實(shí)現(xiàn)夾雜物分析。

這一技術(shù)主要用于：

相分析（如鋼中酸溶鋁和酸不溶鋁）

夾雜物分析 鋼中夾雜物：如CaO, CaS

鋁中夾雜物：如TiB2, MgO

潔凈度分析

改善痕量元素的分析性能

ARL 4460 熱電直讀光譜儀技術(shù)規(guī)格

光譜室設(shè)計(jì)： 一米焦距，帕邢龍格裝置，真空型、恒溫控制（38 ±0.1° C), 特殊鑄鐵材料制造，多設(shè)置60條通道

試樣臺(tái)： 充氬樣品臺(tái)；內(nèi)置自循環(huán)水冷系統(tǒng)

光柵： 根據(jù)分析任務(wù)，儀器配置以下三種光柵中的一種：1080gr/mm，1667gr/mm，2160gr/mm

分辨率： 視光柵、出射狹縫和光譜等級(jí)而定

狹縫寬度： 入射狹縫：20µm；出射狹縫：25，37.5，50，75µm

光電倍增管： 直徑φ28mm,10級(jí)側(cè)窗管，光學(xué)玻璃或人造石英窗

光源： 電流控制光源（CCS）

光譜儀控制： 利用CMOS 技術(shù)的 ARL MMB386微處理器，帶狀態(tài)控制卡；每條通道均配置數(shù)模（A/D）轉(zhuǎn)換器和衰減器；每個(gè)衰減器分為41 檔；測(cè)量電子部分的動(dòng)態(tài)范圍與測(cè)量時(shí)間成正比，一般為2×106計(jì)數(shù)/秒12位可編程衰減器時(shí)間分辨光譜(TRS)

環(huán)境要求： 室溫：16~30° C，大允許溫差為5° C/小時(shí)；相對(duì)濕度20~80%

電力要求： 電壓230V（+10%/-15%） ，保護(hù)性接地的單相電源（電壓波動(dòng)超過(guò)± 10%時(shí)需用5KVA穩(wěn)壓器） 。電流12A, 頻率50或60Hz;功率2.5kVA;接地電阻<1?，歐洲標(biāo)準(zhǔn)：89/392/EEC機(jī)械，73/23/EEC低壓材料，89/336/EEC電磁

氬氣要求： 純度99.999%

幾何尺寸： 長(zhǎng)1385（不計(jì)激發(fā)臺(tái)）×寬910×高1220mm；長(zhǎng)1690（計(jì)激發(fā)臺(tái)）×寬910×高1220mm

系統(tǒng)重量： 約540公斤