類(lèi)型

型號(hào)

特性

正膠

AR-P 1200

適合噴涂（Spray Coating）的正性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護(hù)粗糙的襯底表面，可用于復(fù)雜工藝。

AR-P 3100

高靈敏度光刻膠.膠膜薄且均勻. 在玻璃和鍍鉻表面附著力好，可用于光學(xué)器件加工,掩膜制作等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的線條（幾十納米）。

AR-P 3200

黏度大，可得到厚膠膜，厚度可達(dá)幾十微米，甚至上百微米。膠膜覆蓋能力好，適合粗糙的 Wafer 表面涂膠，可很好的保護(hù)結(jié)構(gòu)邊緣。圖形剖面邊緣陡直。適合做LIGA或電鍍工藝等。

AR-P 3500
AR-P 3500T

于集成電路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金屬和氧化物表面附著力好。其中，AR-P 3500T是針對(duì) AR-P 3500 系列進(jìn)行優(yōu)化，而新研制的一種光刻膠；性能和AR-P 3500相似，同時(shí)還具備了良好的耐等離子刻蝕性能，以及大的工藝寬容度。

AR-P 3740
AR-P 3840

高分辨率光刻膠，制作亞微米結(jié)構(gòu)，適于高集成電路制作。光刻膠表面平整均勻，高敏感度、高對(duì)比、工藝寬容度大。 AR-P 3840為染色的光刻膠，可以降低駐波和散射等的影響。

AR-P 5300

Lift-off工藝用膠，利用普通的光刻工藝便可很容易得進(jìn)行剝離工藝。高敏感、高分辨率， 且與金屬和氧化物表面附著良好。

圖像反轉(zhuǎn)膠

AR-U 4000

圖形反轉(zhuǎn)膠，通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)可實(shí)現(xiàn)正膠或負(fù)膠性能。圖形反轉(zhuǎn)工藝后，光刻膠呈現(xiàn)負(fù)膠性能，可以得到非常明星的倒梯形結(jié)果，用于lift-off工藝。

負(fù)膠

AR-N 2200

適合噴涂的負(fù)性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護(hù)粗糙的襯底表面，可用于復(fù)雜工藝。

AR-N 4240

紫外、深紫外曝光，可做lift-off工藝。 i線、深紫外曝光。適合制作亞微米圖形，專(zhuān)為滿足*集成電路制造中的關(guān)鍵工藝要求而設(shè)計(jì)。良好的耐等離子體刻蝕性能，在金屬和氧化物表面的附著力好，并可用于lift-off工藝。

AR-N 4340

化學(xué)放大膠，紫外曝光，可做lift-off工藝。 i線、g線曝光?；瘜W(xué)放大膠，高靈敏度，高分辨率，高對(duì)比度，在金屬和氧化物表面附著力好，可用于lift-off工藝。

AR-N 4400

厚膠，化學(xué)放大膠，可以做lift-off工藝。 i線、g線、深紫外、X-ray、電子束等都可以實(shí)現(xiàn)曝光。涂膠厚度從幾十微米到上百微米，覆蓋能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率?；瘜W(xué)放大膠，靈敏度也非常高?？捎糜贚IGA、電鍍等工藝。 采用堿性水溶液顯影，除膠非常容易，可以替代傳統(tǒng)的SU8膠。

SX AR-N 4600-10/3
SX AR-N 4650-10/4
NEW!

紫外負(fù)膠（厚膠），適用于LIGA及MEMS應(yīng)用，涂膠厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好、重復(fù)性好，厚度可達(dá)幾百微米，適用于保留膠體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，SX AR-N 4650-10/4 : 容易去膠，適合于電鑄工藝。

類(lèi)型

型號(hào)

特性

顯影液

AR 300-26, -35

紫外光刻膠用 顯影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/電子束光刻膠用 顯影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA膠用 顯影液

定影液

AR 600-60,-61

電子束光刻膠用 定影液

除膠劑

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/電子束光刻膠用 除膠劑

稀釋劑

AR 600-01…09

PMMA膠 稀釋劑

AR 300-12

紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑

增附劑

AR 300-80, HMDS

紫外/電子束光刻膠用 增附劑