SPL德國(guó)Nano analytik(ParcanNano)針尖電子束光刻機(jī)

簡(jiǎn)介：

公司以的針尖技術(shù)為核心競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)源自于德國(guó)伊爾默瑙工業(yè)大學(xué)，致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結(jié)構(gòu)制備和表征方面的研發(fā)，及其相關(guān)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。

公司研制一套基于掃描針尖低能電子場(chǎng)發(fā)射的原理、采用壓阻式微納米針尖和多維納米定位與測(cè)量技術(shù)、在半導(dǎo)體器件材料表面制造尺寸小于5納米線寬結(jié)構(gòu)的高性能微納加工系統(tǒng)。可在大氣環(huán)境下，高經(jīng)濟(jì)效益、快速直寫(xiě)5納米以下結(jié)構(gòu)和制備納米級(jí)器件。該系統(tǒng)的閉環(huán)回路可實(shí)現(xiàn)使用同一掃描探針對(duì)納米結(jié)構(gòu)的成像、定位、檢測(cè)和操縱。

技術(shù)特點(diǎn)：

。場(chǎng)發(fā)射低能電子束
。大幅降低電子束背底散射
。幾乎消除電子束臨近效應(yīng)
。光刻5納米以下單線寬結(jié)構(gòu)
。光刻結(jié)構(gòu)間距小于2納米
。接近原子級(jí)分辨的套刻精度
。線寫(xiě)速度高達(dá) 300 μm/s
。大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻
。正光刻流程無(wú)需顯影步驟
。無(wú)需調(diào)制電子束聚光
。大范圍分步重復(fù)工藝
。Mix & Match 混合光刻模式
。針尖曝光與結(jié)構(gòu)成像實(shí)時(shí)進(jìn)行
。真空原位觀測(cè)光刻圖案

功能指標(biāo)：

產(chǎn)品規(guī)格：

探針掃描頭配置：

樣品臺(tái)配置：